| 講演名 | 1996/11/8 In-situ電気化学プロセスによるInP系化合物半導体への高いショットキー障壁形成 佐藤 威友, 橋詰 保, 長谷川 英機, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | In-situ電気化学プロセスによる新しいショットキー障壁形成技術を用い、n形InP系化合物半導体に対しPt-ショットキー障壁の形成を試みた。作製したショットキーダイオードの電気的特性、接合界面-表面の評価にはI-V法、C-V法、DLTS法、AFMを用いた。電気化学プロセスを用いて作製したショットキーダイオードの障壁高さは、n-InP、n-In_<0.53>Ga_<0.47>Asおよびn-In_<0.52>Al_<0.48>Asに対して、それぞれ0.89eV、0.50eV、0.89eVと、EB 蒸着法に比べてはるかに高い障壁が得られた。このようなショットキー障壁増大のメカニズムは、DIGSモデルにより説明できる。 |
| 抄録(英) | Pt Schottky barriers were formed on InP-based materials by a novel in-situ electrochemical process. The electrical characteristics, surfaces and interfaces of the Schottky diodes were investigated by I-V, C-V, DLTS and AFM measurements. The Schottky Barrier heights (SBHs) formed by this electrochemical process were much higher than those formed by the electron-beam (EB) deposition process. The mechanism for increase of SBH was explained by the disorder induced gap state (DIGS) model. |
| キーワード(和) | ショットキー障壁 / 電気化学プロセス / DIGSモデル / Pt / InP / InAlAs / InGaAs |
| キーワード(英) | Schottky barrier / electrochemical process / DIGS model / Pt / InP / InAlAs / InGaAs |
| 資料番号 | ED96-113 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 1996/11/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | In-situ電気化学プロセスによるInP系化合物半導体への高いショットキー障壁形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Schottky Barrier Formation on Indium Phosphide-Based Materials by In-Situ Electrochemical Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ショットキー障壁 / Schottky barrier |
| キーワード(2)（和/英） | 電気化学プロセス / electrochemical process |
| キーワード(3)（和/英） | DIGSモデル / DIGS model |
| キーワード(4)（和/英） | Pt / Pt |
| キーワード(5)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(6)（和/英） | InAlAs / InAlAs |
| キーワード(7)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 威友 / Taketomo SATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学研究科量子界面エレクトロニクス研究センター Graduate School of Electronics and Information Engineering and Research Center for Interface Quantum Electronics |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学研究科量子界面エレクトロニクス研究センター Graduate School of Electronics and Information Engineering and Research Center for Interface Quantum Electronics |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長谷川 英機 / Hideki HASEGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学研究科量子界面エレクトロニクス研究センター Graduate School of Electronics and Information Engineering and Research Center for Interface Quantum Electronics |
| 発表年月日 | 1996/11/8 |
| 資料番号 | ED96-113 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 352 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |