| 講演名 | 1996/10/11 MOMBE法を用いたSi上GaAsPの結晶成長 渡部 康弘, 安井 俊之, 吉本 昌広, 松波 弘之, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | TEGa(triethylgllium)、PH_3、およびtBAs(tertiarybuthylarsine)を用いてSi基板上にGaAs_<1-x>P_x(0.3 |
| 抄録(英) | Single crystalline GaAs_<1-x>P_x(0.3 |
| キーワード(和) | GaAsP / MOMBE / 2段階成長 / Si上ヘテロエピ / ホトルミネセンス / ドーピング |
| キーワード(英) | GaAsP / MOMBE / two-step growth / hetero epitaxial growth on Si / photoluminescence / doping |
| 資料番号 | ED96-99,CPM96-77 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 1996/10/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOMBE法を用いたSi上GaAsPの結晶成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal Growth of GaAsP/Si(100) by Metal-Organic Molecular Beam Epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAsP / GaAsP |
| キーワード(2)（和/英） | MOMBE / MOMBE |
| キーワード(3)（和/英） | 2段階成長 / two-step growth |
| キーワード(4)（和/英） | Si上ヘテロエピ / hetero epitaxial growth on Si |
| キーワード(5)（和/英） | ホトルミネセンス / photoluminescence |
| キーワード(6)（和/英） | ドーピング / doping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡部 康弘 / Y. Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安井 俊之 / T. Yasui |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉本 昌広 / M. Yoshimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松波 弘之 / H. Matsunami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 1996/10/11 |
| 資料番号 | ED96-99,CPM96-77 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 292 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |