講演名 1996/4/25
希ガス原子照射下でのAlリフロー挙動の分子動力学法による検討
山内 亮, 久保 百司, Stirling Andras, 宮本 明, 大見 忠弘,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 分子動力学法とコンピュータグラフィックスを用いて、希ガス照射下でのAlリフロー挙動に関する検討を行った。その結果、照射エネルギーが小さい場合は希ガス原子がヴイア内とヴイアから離れた場所とに衝突する際に時間差が生じ、照射エネルギーが大きい場合は希ガス原子はヴィア内とヴィアから離れた場所とにほほ同時に衝突することが明らかとなった。また、基板加熱のみでリフローを行った場合より低温で同じ埋め込みが得られたことから、希ガス原子照射はリフロー温度の低下に寄与することが分かった。さらに、希ガスの照射エネルギーの増加とともに絶縁膜を構成する原子の変位が増加することが分かった。
抄録(英) Aluminum reflow behavior under noble gas irradiation was investigated by molecular dynamics method and computer graphics. It was theoretically revealed that in the case when the irradiation energy was low noble gas atoms did not attached within the via-hole even after the occurrence of the collision on the upper surface of the substrate. On the other hand, when the irradiation energy was high, the collision of the noble gas atoms simultaneously occured on both the upper substrate surface and the via-hole. Furthermore it was confirmed that the noble gas irradiation would be an effective technique in order to achieve the low temperature process, taking account for our previous results. Also it could be noted that the displacement of Si atoms as well as O atoms composing the insulator increased with the irradiation energy.
キーワード(和) ヴィアホール / 希ガス照射 / リフロー / 分子動力学法 / コンピュータグラフイックス
キーワード(英) via-hole / noble gas irradiation / reflow / molecular dynamics / computer graphics
資料番号 ED-96-15,SDM-96-15
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1996/4/25(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 希ガス原子照射下でのAlリフロー挙動の分子動力学法による検討
サブタイトル(和)
タイトル(英) Al reflow behavior under noble gas irradiaton investigated by molecular dynamics meyhod
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ヴィアホール / via-hole
キーワード(2)(和/英) 希ガス照射 / noble gas irradiation
キーワード(3)(和/英) リフロー / reflow
キーワード(4)(和/英) 分子動力学法 / molecular dynamics
キーワード(5)(和/英) コンピュータグラフイックス / computer graphics
第 1 著者 氏名(和/英) 山内 亮 / Ryo Yamauchi
第 1 著者 所属(和/英) 東北大学工学部分子化学工学科
Department of Molecular Chemistry and Engieering, Faculty of Endineering, Tohoku University.
第 2 著者 氏名(和/英) 久保 百司 / Momoji Kubo
第 2 著者 所属(和/英) 東北大学工学部分子化学工学科
Department of Molecular Chemistry and Engieering, Faculty of Endineering, Tohoku University.
第 3 著者 氏名(和/英) Stirling Andras / Andras Stirling
第 3 著者 所属(和/英) 東北大学工学部分子化学工学科
Department of Molecular Chemistry and Engieering, Faculty of Endineering, Tohoku University.
第 4 著者 氏名(和/英) 宮本 明 / Akira Miyamoto
第 4 著者 所属(和/英) 東北大学工学部分子化学工学科
Department of Molecular Chemistry and Engieering, Faculty of Endineering, Tohoku University.
第 5 著者 氏名(和/英) 大見 忠弘 / Tadaihiro Ohmi
第 5 著者 所属(和/英) 東北大学工学部電子工学科
Department of Electronics, Faculty of Endineering, Tohoku University.
発表年月日 1996/4/25
資料番号 ED-96-15,SDM-96-15
巻番号(vol) vol.96
号番号(no) 18
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日