| 講演名 | 1996/4/25 Si基板表面吸着物の熱脱離挙動 神保 智子, 石川 勝彦, 伊藤 雅樹, 津金 賢, 田辺 義和, 斎藤 由雄, 富岡 秀起, |
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| 抄録(和) | ゲート酸化膜の絶縁耐圧に影饗を及ぼす有機物汚染の評価を行った。ゲート酸化-polySi成膿を窒素券囲気下で連続処理した場合、酸化膜の欠陥密度が低減することを確認した。非連続処理の場合に搬送・保管中のウェハ表面に吸着する成分を、大気圧質量分析計を用いた昇温脱離法で解析した。その結果、プラスチック製ウェハカセットケースからの脱ガスである有機物がpolySi成膜時に脱離せず、酸化膜とpolySi界面に残留し、これが欠陥密度増加を引き起こすと考えられる。 |
| 抄録(英) | The influence of organic contamination on dielectric breakdown of gate oxide was evaluated. Wafer process without air-exposure through gate-oxidation to polySi CVD decreased the defect density. It has been proved by using thermal desorption spectrum-atomospheric pressre ionization mass spectrometer that the origin of organic contamination onto wafer surfaces was outgases from plastic casette boxes, and the organic contamination could not be removed from the wafer surface in polySi CVD process. We suppose these organic contamination between gate oxide and polySi electrode cause the degradation of GOI. |
| キーワード(和) | ゲート酸化膜 / 欠陥密度 / 有機物汚染 / 昇温脱離ガス分析法 |
| キーワード(英) | gate-oxide / defect density / organic contamination / thermal desorption analysis |
| 資料番号 | ED-96-11,SDM-96-11 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1996/4/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板表面吸着物の熱脱離挙動 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study for thermal desorption behavior of adsorbing materials on Si substrate surface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲート酸化膜 / gate-oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 欠陥密度 / defect density |
| キーワード(3)（和/英） | 有機物汚染 / organic contamination |
| キーワード(4)（和/英） | 昇温脱離ガス分析法 / thermal desorption analysis |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 神保 智子 / Tomoko Jinbo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所 デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi.Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石川 勝彦 / Katuhiko Ishikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所 半導体事業部 Semiconductor & Integrated Circuits Div, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 伊藤 雅樹 / Masaki Ito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所 半導体事業部 Semiconductor & Integrated Circuits Div, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 津金 賢 / Ken Tsugane |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所 デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi.Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田辺 義和 / Yoshikazu Tanabe |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立製作所 デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi.Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 斎藤 由雄 / Yoshio Saito |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日立製作所 デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi.Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 富岡 秀起 / Hideki Tomioka |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日立製作所 デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi.Ltd. |
| 発表年月日 | 1996/4/25 |
| 資料番号 | ED-96-11,SDM-96-11 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 18 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |