| 講演名 | 1997/3/13 負性抵抗半導体での高電界ドメインとカオス的電流振動の発生 生塩 研一, |
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| 抄録(和) | シリコンデバイスは現在、微細化の一途を辿り目覚しい発展を遂げつつあるが、ノイマン型情報処理システムのもつ性格上、柔軟で知的な情報処理はあまり得意ではない。1960年代以降、カオスや分岐現象といった非線形現象が、その複雑さや多様さゆえ、大変興味深い対象として活発に研究されている。そして、柔軟で知的な情報処理を、それら非線形現象を応用することで実現しようとする流れがある。この小論では、負性抵抗半導体におけるカオス的電流振動と分岐現象を示し、分岐現象を応用すべく制御パラメータの変化に対する制御性を調べた結果を報告する。 |
| 抄録(英) | A startling development on ULSI process technologies have been made, and the von Neumann architecture is used, but its limitation on flexible and intelligent processing is also recognized. In the last decades a remarkable progress has been made in our understanding of nonlinear phenomena such as chaos and bifurcation. It has been discussed that complexity and diversity in nonlinear phenomena may be applied to overcome the limitation of extent ULSI technologies. In this report, we show chaotic current oscillations and a bifurcation phenomenon in semiconductor with NDC, and dynamical response of the system to investigate its controllability. |
| キーワード(和) | カオス / 分岐現象 / 負性抵抗 / 高電界ドメイン / field-enhanced trapping |
| キーワード(英) | chaos / bifurcation / NDC / high-field domain / field-enhanced trapping |
| 資料番号 | ED96-210 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1997/3/13(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 負性抵抗半導体での高電界ドメインとカオス的電流振動の発生 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-field Domains and Chaotic Current Oscillations in Semiconductor with NDC |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | カオス / chaos |
| キーワード(2)（和/英） | 分岐現象 / bifurcation |
| キーワード(3)（和/英） | 負性抵抗 / NDC |
| キーワード(4)（和/英） | 高電界ドメイン / high-field domain |
| キーワード(5)（和/英） | field-enhanced trapping / field-enhanced trapping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 生塩 研一 / Ken-ichi OSHIO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学ナノデバイス・システム研究センター Research Center for Nanodevices and Systems |
| 発表年月日 | 1997/3/13 |
| 資料番号 | ED96-210 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 572 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |