| 講演名 | 1997/3/13 半導体における電流フィラメントのパターン形成とカオス 青木 和徳, |
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| 抄録(和) | 半導体において、4.2Kの極低温では中性不純物の衝突電離過程により負性微分電気伝導を示し、その非続形電気伝導により電流フィラメントが形成される。ここでは、電流フィラメントのパターン形成とカオスについて、これまでの研究と最近話題となりつつある電流フィラメントのパターン力学についての諸問題を紹介する。駆動振子など低次元の物理系を引き合いに出し、カオスとは何かについて簡単に紹介する。特にn-GaAsに着目し、電流フィラメントのカオス発生のメカニズム、分岐現象およびフラクタル次元について議論する。また、電流フィラメントの可視化技術について簡単に触れ、そのパターン力学について言及する。 |
| 抄録(英) | At low temperatures such as 4.2 K, semiconductors show negative differential conductivity during impact ionization of neutral impurities, leading to pattern formation of current filaments as a direct result of the nonlinear transport character. Here pattern formation and the related chaotic behaviors have been reviewed, presenting recent topics and problems related with the pattern dynamics of the current filaments. Starting from asking the physical meaning of chaos in low dimensional physical systems such as a driven pendulum, we argue the medhanism on the emergence of chaos observed for the current. filaments, bifurcation and fractal dimensions as well as reviewing visualization techniques of current filaments and the pattern dynamics. |
| キーワード(和) | 衝突電離アバランシェ / 電流フィラメント / 半導体カオス / 周期倍分岐 / パターン力学 |
| キーワード(英) | impact ionization avalanche / current filaments / semiconductor chaos / period doubling bifurcation / pattern dynamics |
| 資料番号 | ED96-209 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1997/3/13(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 半導体における電流フィラメントのパターン形成とカオス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Chaos and Pattern Formation of Current Filaments in Semiconductors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 衝突電離アバランシェ / impact ionization avalanche |
| キーワード(2)（和/英） | 電流フィラメント / current filaments |
| キーワード(3)（和/英） | 半導体カオス / semiconductor chaos |
| キーワード(4)（和/英） | 周期倍分岐 / period doubling bifurcation |
| キーワード(5)（和/英） | パターン力学 / pattern dynamics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 青木 和徳 / Kazunori Aoki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Faculty of Engineering, Kobe University |
| 発表年月日 | 1997/3/13 |
| 資料番号 | ED96-209 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 572 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
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