| 講演名 | 1997/12/12 極微電子源の陰極材料としての遷移金属窒化物薄膜の低温形成 後藤 康仁, 長尾 昌善, 辻 博司, 石川 順三, |
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| 抄録(和) | 遷移金属窒化物薄膜は化学的に安定なこと, また高融点材料であること等から真空マイクロエレクトロニクスの電子源における陰極材料として期待される. しかしながらこれらの材料は一般的に合成に必要な温度が1000℃程度と高く, フラットパネルディスプレイなどガラス基板を使用する用途では利用しにくい. 我々はイオンビームアシスト蒸着法を利用することにより, 遷移金属窒化物の合成温度を500℃程度まで下げられることを示した. また300℃程度の低温でもX線光電子分光法により金属と窒素は結合していることが確認された. 本報ではZrNおよびNbN薄膜形成の例について, 組成, 結晶性, 抵抗率, 仕事関数等の膜物性と電子放出特性について述べる. |
| 抄録(英) | Transition metal nitrides are one of the candidates for the emitter material of vacuum microelectronics devices, due to their inertness, high melting point, and electrical conductivity. One of the difficulties to use these materials as an emitter materiel is that these materials should be synthesized at the temperature as high as 1000℃. In order to lower the temperature of synthesis, ion beam processing is expected. In the present paper, synthesis of zirconium nitride and niobium nitride are described. As a result, crystalline nitride films were obtained at the substrate temperature of 500℃, and formation of bonding between metal atom and nitrogen was achieved at 300℃, which has been clarified b}r x-ray photoelectron spectroscopy. The present paper describes the properties of nitride films such as atomic composition, crystallinity, resistivity, work function, and also the property of electron emission. |
| キーワード(和) | 極微フィールドエミッタ / 真空マイクロエレクトロニクス / 遷移金属窒化物薄膜 / イオンビームアシスト蒸着法 / 低温形成 |
| キーワード(英) | micro-field emitter / vacuum microelectronics / transition metal nitride thin film / ion beam assisted deposition / low temperature growth |
| 資料番号 | ED97-180 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1997/12/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極微電子源の陰極材料としての遷移金属窒化物薄膜の低温形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low temperature growth of transition metal nitride thin films as a candidate for the emitter material of vacuum microelectronics devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極微フィールドエミッタ / micro-field emitter |
| キーワード(2)（和/英） | 真空マイクロエレクトロニクス / vacuum microelectronics |
| キーワード(3)（和/英） | 遷移金属窒化物薄膜 / transition metal nitride thin film |
| キーワード(4)（和/英） | イオンビームアシスト蒸着法 / ion beam assisted deposition |
| キーワード(5)（和/英） | 低温形成 / low temperature growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 後藤 康仁 / Y. GOTOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室 Department of Electronic Science and Engineering Graduate School of Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長尾 昌善 / M. NAGAO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室 Department of Electronic Science and Engineering Gradate School of Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 辻 博司 / H. TSUJI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室 Department of Electronic Science and Engineering Graduate School of Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石川 順三 / J. ISHIKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室 Department of Electronic Science and Engineering Graduate School of Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 1997/12/12 |
| 資料番号 | ED97-180 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 438 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |