| 講演名 | 1997/12/12 ゾルーゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光 中西 洋一郎, 小南 裕子, 掘河 敬司, 青木 徹, 中村 高遠, 東 直人, 畑中 義式, |
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| 抄録(和) | ゾルーゲル法によりCRT用蛍光体の表面にIn_2O_3層を形成させ低速電子線励起における発光特性の変化について調べた。その結果被覆量の変化に伴い発光特性が著しく変化することが確認された。それぞれの蛍光体に最適被覆条件が存在することが分かり、また、被覆量の変化に伴い蛍光体の表面の抵抗率が低減化させることが分かった。蛍光体表面の形状は被覆過程におけるアルコキシド濃度によって異なることが分かった。また、この形状は長時間の電子線照射をした場合の輝度劣化に大きく依存することが確認され、低速電子線励起において導電層として働くIn_2O_3は、表面の保護層としての役割をすることが分かった。 |
| 抄録(英) | It has been tried to make the ZnS:Ag, Cl phosphors used in usual CRT conductive, i.e. the formation of In_2O_3 conductive layer using indium-propoxide by the sol-gel method. It was found that the low voltage cathodoluminescent properties depended on the propoxide ratio. The phosphor coated with 3.7wt% showed the highest luminance at low voltage excitation. The resistivity decreased according to increasing of the ratio. The reduction of resistivity improved the suppression of charging up on the phosphor surface and the morphology was changed with the coating condition. It indicates that the sol-gel coating layer is protected the phosphor surface by the electron beam irradiation. It is quite effective for low voltage cathodoluminescent properties of phosphors not only ZnS:Ag, Cl phosphor but also other CRT phosphors. |
| キーワード(和) | 低速電子線励起発光 / CRT用蛍光体 / ゾルーゲル法 / In[OCH(CH_3)_2]_3 / In_2O_3 / 最適被覆条件 |
| キーワード(英) | Low voltage CL / CRT phosphors / Sol-gel method / In[OCH(CH_3)_2]_3 / In_2O_3 / Optimum condition |
| 資料番号 | ED97-178 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1997/12/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゾルーゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Voltage Cathodoluminescent Properties of Phosphors with Conducting Treatment by the Sol-gel Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低速電子線励起発光 / Low voltage CL |
| キーワード(2)（和/英） | CRT用蛍光体 / CRT phosphors |
| キーワード(3)（和/英） | ゾルーゲル法 / Sol-gel method |
| キーワード(4)（和/英） | In[OCH(CH_3)_2]_3 / In[OCH(CH_3)_2]_3 |
| キーワード(5)（和/英） | In_2O_3 / In_2O_3 |
| キーワード(6)（和/英） | 最適被覆条件 / Optimum condition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中西 洋一郎 / Y. Nakanishi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所:静岡大学電子科学研究科 Research Institute of Electronics, Shizuoka University:Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小南 裕子 / Y. Kominami |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子科学研究科 Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 掘河 敬司 / K. Horikawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / T. Aoki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子科学研究科 Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中村 高遠 / T. Nakamura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 東 直人 / N. Azuma |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学地域共同研究センター Center for Joint Research, Shizuoka University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Y. Hatanaka |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所:静岡大学電子科学研究科 Research Institute of Electronics, Shizuoka University:Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1997/12/12 |
| 資料番号 | ED97-178 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 438 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
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