| 講演名 | 1997/12/12 ボイドカット法を利用したフィールドエミッタアレイの形成 笹栗 大助, 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | エミッタ作製方法の一つであるモールド法は、単結晶Si基板を選択エッチングし鋳型を形成するため、エミッタの均一性、再現性に優れている。しかしながら、従来のプロセスでは最終工程でSiを基板裏面からエッチバックする必要があり、素子へのダメージやエミッタ材料の制限が生じていた。本研究では、モールド法に水素イオン注入によるボイドカット法を利用することで、エッチバックを必要としないプロセスについて検討した。パターンを形成しないSi基板では、ボイドカットによるSiの分離が容易であるのに対し、モールドの存在する基板では分離がより困難であることが分かった。Au-Si共晶、スピンオングラスを使った貼り合わせを試みた。 |
| 抄録(英) | A new fabrication process by using the silicon-mold technique has been investigated. The silicon mold technique has superior characteristics in device uniformity and reproducibility, and various materials can be used as field emitter. In the silicon-mold technique, however, removing the Si wafer by using chemical etching appears to be very critical. In this study, we investigate the application of the void-cut technology to the fabrication of field emitter arrays. It has been found that cracks in the Si substrate where the mold is formed can be generated by implanting hydrogen ions and following thermal treatment. It has also been found that a strong bonding is required between the emitter wafer and the holding substrate for complete delamination of the Si substrate. The application of Au-Si eutetic and the spin-on-glass for the bonding has been investigated. |
| キーワード(和) | 微小電子源 / マイクロマシンニング / モールド法 / 水素イオン注入 / ボイドカット法 |
| キーワード(英) | field emitter arrays / silicon-mold technique / void-cut technology / hydrogen ion implantation |
| 資料番号 | ED97-176 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1997/12/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ボイドカット法を利用したフィールドエミッタアレイの形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of field emitter arrays by using the void-cut technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 微小電子源 / field emitter arrays |
| キーワード(2)（和/英） | マイクロマシンニング / silicon-mold technique |
| キーワード(3)（和/英） | モールド法 / void-cut technology |
| キーワード(4)（和/英） | 水素イオン注入 / hydrogen ion implantation |
| キーワード(5)（和/英） | ボイドカット法 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 笹栗 大助 / Daisuke Sasaguri |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa Asano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1997/12/12 |
| 資料番号 | ED97-176 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 438 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |