| 講演名 | 1997/12/12 イオンビーム改質したフォトレジストからの電子放出 浅野 種正, 篠栗 大助, 野間口 葉子, 比嘉 勝也, |
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| 抄録(和) | ノボラック系フォトレジストをイオンビーム照射で改質した材料から電子の電界放出が得られることを見出した. また, その微小電子源への応用について検討した. フォトレジストにArイオンを10^<16>cm^<-2>まで照射すると, フォトレジストに導電性が発現し, それに伴い電子の電界放出が得られた. ラマン散乱分光より, イオン照射で炭素-炭素結合が生成されることがわかった. 放出電流は合成ダイヤモンドに比べ, 安定であった. 単結晶Siのモールド法を利用してフィールドエミッタアレイを試作した. 1200個のチップで構成されたアレイから40μAの電流が得られた. |
| 抄録(英) | Ion beam irradiation effects on a novolac positive-tone photoresist and its application to micron-size field emitters have been investigated. The electrical resistivity of the photoresist film is found to decrease after Ar ion implantation at doses on the order of 10^<16> cm^<-2<. Baking of the photoresist prior to irradation at a high temperature is preferred to produce electrical conductivity. P ions show weaker effects than Ar ions. Raman spectroscopy shows that carbon-carbon bonds such as the graphite bond are produced due to ion bombardment. The field emission of electrons is observed from emitters made of the ion-irradiated photoresist. The emission current is shown to be fairly stable when it is compared with an emission characteristic of. synthesized diamond. Fabrication of field emitter arrays using a mold technique is demonstrated. The field emitter array shows emission at a current level of about 40 μA. |
| キーワード(和) | 微小電子源 / イオンビーム改質 / フォトレジスト / フィールドエミッタアレイ |
| キーワード(英) | field emitter array / ion beam modification / photoresist / field emission display |
| 資料番号 | ED97-175 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1997/12/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | イオンビーム改質したフォトレジストからの電子放出 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electron Emission from an Ion Beam Modified Photoresist and Its Application to Field Emitter Array |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 微小電子源 / field emitter array |
| キーワード(2)（和/英） | イオンビーム改質 / ion beam modification |
| キーワード(3)（和/英） | フォトレジスト / photoresist |
| キーワード(4)（和/英） | フィールドエミッタアレイ / field emission display |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa Asano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyusyu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 篠栗 大助 / Daisuke Sasaguri |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyusyu Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野間口 葉子 / Yoko Nomaguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyusyu Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 比嘉 勝也 / Katsuya Higa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyusyu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1997/12/12 |
| 資料番号 | ED97-175 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 438 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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