| 講演名 | 1997/11/5 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発 正戸 宏幸, 藤本 和久, 川島 克彦, 西辻 充, 太田 順道, 井上 薫, |
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| 抄録(和) | 超低歪み1μmゲートInGaAs HFET、および0.25μmゲートInGaAs HFETを用いたSTOキャパシタ内蔵広帯域アンプMMICを開発した。1μmゲートInGaAs HFETを用いた広帯域アンプは、70MHz～1.2GHzの周波数帯域において、2次相互変調歪み(OIP_2)+78dBm、3次相互変調歪み(OIP_3)+34dBm、利得15dB以上、雑音指数2.0dB以下の良好な特性を示した。また、広帯域アンプMMICは、0.5～5.3GHzの帯城を有し、2.4GHzにおいて利得19.5dB、雑音指数3.6dB、消費電力330mWの特性を示した。 |
| 抄録(英) | A super low-distortion InGaAs HFET with 1μm-gatelength and a broadband amplifier MMIC with 0.25 1μm-gatelength InGaAs HFET and STO capacitors have been developed. The broadband amplifier using 1μm-gatelength HFET showed excellent low-distortion properties of OIP_2 of +78dBm and of OIP_3 of +34dBm, and also showed the gain of more than 15dB and noise figure of less than 2.0dB throughout a wide band of 70MHz to 1.2GHz. And the MMIC exhibited broadband characteristics throughout a wide frequency range of 500MHz to 5.3GHz and showed the gain of 19.5dB, noise figure of 3.6dB and power comsumption of 330mW at 2.4GHz. |
| キーワード(和) | InGaAs HEFT / 低歪み / 広帯域アンプ / MMIC / STO |
| キーワード(英) | InGaAs HFET / Low-Distortion / Broadband Amplifier / MMIC / STO |
| 資料番号 | ED97-160 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1997/11/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of broadband amplifier using low-distortion InGaAs HFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs HEFT / InGaAs HFET |
| キーワード(2)（和/英） | 低歪み / Low-Distortion |
| キーワード(3)（和/英） | 広帯域アンプ / Broadband Amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(5)（和/英） | STO / STO |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 正戸 宏幸 / Hiroyuki Masato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株) 電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤本 和久 / Kazuhisa Fujimoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株) 電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 川島 克彦 / Katsuhiko Kawashima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株) 電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西辻 充 / Mitsuru Nishitsuji |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株) 電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 太田 順道 / Yorito Ota |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株) 電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 井上 薫 / Kaoru Inoue |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株) 電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 1997/11/5 |
| 資料番号 | ED97-160 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |