講演名 | 1997/6/19 可変電源電圧(VS)方式による300MIPS/W VTCMOS RISCプロセッサ 鈴木 晃治朗, 三田 真二, 藤田 哲也, 山根 史之, 佐野 文彦, 千葉 明彦, 渡辺 吉規, 松田 光司, 前田 健夫, 黒田 忠広, |
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抄録(和) | 可変電原電圧(VS)方式とVTCMOSとを用いて, 300MIPS/WのRISCプロセッサを開発した. ここで提案したVS方式とは, 3.3Vの外部電圧をDC-DCコンバータを用いて降圧し, 与えられた動作周波数に応じて, 回路が動作する必要最小限の内部電圧を自動生成する手法である. チップの外からみれば3.3V単一電源のチップに見えるが, 内部で電圧を下げることにより低電力化を実現している. 過去に設計したRISCプロセッサのレイアウトに対し,基板コンタクトの部分以外には修正を加えずに, MIPS/Wで表される性能を2倍以上に改善した. さらに, VS方式が電源電圧の揺らぎを補償できることを示した. |
抄録(英) | A 300MIPS/W RISC core processor with variable supply-voltage (VS) scheme in variable threshold-voltage CMOS (VTCMOS) is presented. From a 3.3V extemal supply the VS scheme automatically generates minimum internal supply voltages which can meet the demand on its operation frequency. This chip needs only 3.3V power supply, but low-power operation can be achieved by lowering the supply-voltage with on-chip DC-DC converter. Performance in MIPS/W can be improved by a factor of more than two with no modification in the RISC core except substrate contacts for the VICMOS. It is also demonstrated that the VS scheme is immune from supply-voltage fluctuations. |
キーワード(和) | DC-DCコンバータ / VS方式 / 可変電源電圧 / 低消費電力 / RISCプロセッサ / 可変闘値電圧 |
キーワード(英) | DC-DC converter / VS scheme / variable supply-voltage / low-power / RISC processor / VICMOS |
資料番号 | ED97-46 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 1997/6/19(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
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幹事氏名(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 可変電源電圧(VS)方式による300MIPS/W VTCMOS RISCプロセッサ |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | A 300 MIPS/W RISC Core Processor with Variable Supply-Voltage Scheme in Variable Threshold-Voltage CMOS |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | DC-DCコンバータ / DC-DC converter |
キーワード(2)(和/英) | VS方式 / VS scheme |
キーワード(3)(和/英) | 可変電源電圧 / variable supply-voltage |
キーワード(4)(和/英) | 低消費電力 / low-power |
キーワード(5)(和/英) | RISCプロセッサ / RISC processor |
キーワード(6)(和/英) | 可変闘値電圧 / VICMOS |
第 1 著者 氏名(和/英) | 鈴木 晃治朗 / Kojiro Suzuki |
第 1 著者 所属(和/英) | (株)東芝, システムLSI技術研究所 System ULSI Eng. Lab., Toshiba Corp. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 三田 真二 / Shinji Mita |
第 2 著者 所属(和/英) | (株)東芝, システムLSI技術研究所 System ULSI Eng. Lab., Toshiba Corp. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 藤田 哲也 / Tetsuya Fujita |
第 3 著者 所属(和/英) | (株)東芝, システムLSI技術研究所 System ULSI Eng. Lab., Toshiba Corp. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 山根 史之 / Fumiyuki Yamane |
第 4 著者 所属(和/英) | (株)東芝, システムLSI技術研究所 System ULSI Eng. Lab., Toshiba Corp. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 佐野 文彦 / Fumihiko Sano |
第 5 著者 所属(和/英) | 東芝マイクロエレクトロニクス(株) System LSI Development Division, Toshiba Micro Electronics Corp. |
第 6 著者 氏名(和/英) | 千葉 明彦 / Akihiko Chiba |
第 6 著者 所属(和/英) | 東芝マイクロエレクトロニクス(株) System LSI Development Division, Toshiba Micro Electronics Corp. |
第 7 著者 氏名(和/英) | 渡辺 吉規 / Yoshinori Watanabe |
第 7 著者 所属(和/英) | 東芝マイクロエレクトロニクス(株) System LSI Development Division, Toshiba Micro Electronics Corp. |
第 8 著者 氏名(和/英) | 松田 光司 / Koji Matsuda |
第 8 著者 所属(和/英) | 東芝マイクロエレクトロニクス(株) System LSI Development Division, Toshiba Micro Electronics Corp. |
第 9 著者 氏名(和/英) | 前田 健夫 / Takeo Maeda |
第 9 著者 所属(和/英) | (株)東芝 Semiconductor Group, Toshiba Corp. |
第 10 著者 氏名(和/英) | 黒田 忠広 / Tadahiro Kuroda |
第 10 著者 所属(和/英) | (株)東芝システムLSI技術研究所 System ULSI Eng. Lab., Toshiba Corp. |
発表年月日 | 1997/6/19 |
資料番号 | ED97-46 |
巻番号(vol) | vol.97 |
号番号(no) | 106 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |