講演名 1997/5/23
X線反射干渉解析法による化合物半導体ヘテロ界面、金属半導体界面の分析
服部 亮, 中村 源四郎, 坂谷 忠夫,
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抄録(和) X線反射干渉解析法により化合物半導体ヘテロ接合界面、金属/半導体接合界面、および表面酸化膜の構造解析をおこなった。本解析法が、TEM断面観察や結晶表面のXPS分析結果との比較により、数Åの膜厚分解能を有し、しかも数十mm^2の二次元平面内での接合界面状況を統計的分布情報として分析できる極めて有効な非破壊・非接触評価評価手法であることを示す。
抄録(英) We improved the X-ray reflectance analysis method for the interfacial analysis of compoud semiconductors with sub-nanometer depth resolution. Analysis of interfacial structures of pseudomorphic InGaAs/AlGaAs hetero-junctions, PtGaAs alloy juction, and sufface oxide layer of GaAs are demonstrated in comparison with TEM cross-sectionnal investigation of the interface or surface inspection by XPS.
キーワード(和) X線反射干渉解析法 / ヘテロ界面 / 金属/半導体接合 / ナノメータ
キーワード(英) X-ray reflectance analysis / Hetero-junction / Metal/Semiconductor Junction / Sub-nanometer
資料番号 ED97-29,CPM97-17
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1997/5/23(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) X線反射干渉解析法による化合物半導体ヘテロ界面、金属半導体界面の分析
サブタイトル(和)
タイトル(英) Non-destructive Inspection of Interfacial Structures in Heterojunctions and Metal/Semiconductor Contacts by X-ray Reflectance Analysis with Sub-nanometer Depth Resolution
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) X線反射干渉解析法 / X-ray reflectance analysis
キーワード(2)(和/英) ヘテロ界面 / Hetero-junction
キーワード(3)(和/英) 金属/半導体接合 / Metal/Semiconductor Junction
キーワード(4)(和/英) ナノメータ / Sub-nanometer
第 1 著者 氏名(和/英) 服部 亮 / Ryo Hattori
第 1 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 中村 源四郎 / Genshiro Nakamura
第 2 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 坂谷 忠夫 / Tadao Sakatani
第 3 著者 所属(和/英) 理学電機(株)X線研究所
X Ray Research Laboratory, Rigaku Electric Corporation
発表年月日 1997/5/23
資料番号 ED97-29,CPM97-17
巻番号(vol) vol.97
号番号(no) 59
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日