講演名 | 1997/5/22 共鳴トンネルトランジスタのフォトルミネッセンス 大野 雄高, 岸本 茂, 水谷 孝, |
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抄録(和) | 共鳴トンネルトランジスタのフォトルミネッセンスを解析した。励起光エネルギーとして、量子井戸のエネルギーより小さいGaAsコンタクト層のバンドギャップ付近を用いることで、フォトルミネッセンススペクトルの複雑さを回避することができた。フォトルミネッセンス信号は共鳴トンネル電流と強く相関を持つ。コレクタ電圧の増加とともにフォトルミネッセンスのピークエネルギーは低エネルギー側にシフトし、量子閉じ込めシュタルク効果を示した。フォトルミネッセンス強度と線幅のコレクタ電圧依存性は量子井戸の電荷蓄積効果を示唆する結果を示した。フォトルミネッセンススペクトルのゲート電圧依存性はゲート空乏層ポテンシャルによる量子閉じ込め効果を示している。 |
抄録(英) | The photoluminescence (PL) of the resonant-tunneling transistor was studied. Excitation energy was chosen to be close to the band-gap energy of GaAs contact layer so as to make spectra simple. The PL signal shows strong correlation with resonant-tunneling current. The PL peak position shifts toward lower energy with increasing collector voltage (V_ |
キーワード(和) | 共鳴トンネル / トランジスタ / GaAs / フォトルミネッセンス / シュタルク効果 / 量子閉じ込め |
キーワード(英) | Resonant tunneling / transistor / GaAs / photoluminescence / Stark effect |
資料番号 | ED97-16,CPM97-4 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 1997/5/22(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 共鳴トンネルトランジスタのフォトルミネッセンス |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Photoluminescence of Resonant-Tunneling Transistor |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 共鳴トンネル / Resonant tunneling |
キーワード(2)(和/英) | トランジスタ / transistor |
キーワード(3)(和/英) | GaAs / GaAs |
キーワード(4)(和/英) | フォトルミネッセンス / photoluminescence |
キーワード(5)(和/英) | シュタルク効果 / Stark effect |
キーワード(6)(和/英) | 量子閉じ込め |
第 1 著者 氏名(和/英) | 大野 雄高 / Yutaka Ohno |
第 1 著者 所属(和/英) | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻 Dep. of Quantum Engineering, Nagoya University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto |
第 2 著者 所属(和/英) | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻 Dep. of Quantum Engineering, Nagoya University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 水谷 孝 / Takashi Minzutani |
第 3 著者 所属(和/英) | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻 Dep. of Quantum Engineering, Nagoya University |
発表年月日 | 1997/5/22 |
資料番号 | ED97-16,CPM97-4 |
巻番号(vol) | vol.97 |
号番号(no) | 58 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |