| 講演名 | 2001/10/19 イオンビームスパッタ法によりSiGe成長における水素導入効果 佐々木 公洋, 池田 乙元, 高橋 幸大, 畑 朋延, |
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| 抄録(和) | イオンビームスパッタ法を用いたSiGe薄膜作製における水素の効果について議論している。本方法では、膜厚を制御性よくかつ再現性よく作製できることを示している。水素導入なしでSi(100)基板上にGe薄膜を形成し、その上にSiを成長させると、Geは表面偏析を起こし成長Si膜中に取り込まれ急峻なSi/Geヘテロ界面が得られない。水素を導入するとサーファクタント効果により効果的にこの偏析が抑制された。しかし、一方この水素導入によりSiの結晶成長が阻害され、結晶性が劣化することが分かった。 |
| 抄録(英) | Effect of hydrogen on SiGe thin film preparation by ion-beam sputter technique is discussed. Using this technique well-controlled and reproducible film thickness is obtained. Ge segregates on the surface of overlaying Si layer and is mixed with the Si, so that it is impossible to obtain a abrupt Si/Ge heterointerface. This segregation was suppressed effectively by the surfactant effect of introducing hydrogen, however crystallinity of Si was found to degrade. |
| キーワード(和) | イオンビームスパッタ / SiGe / 表面偏析 / 水素サーファクタント |
| キーワード(英) | Ion-beam sputter / SiGe / surface segregation / hydrogen surfactant |
| 資料番号 | CPM2001-108 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/10/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | イオンビームスパッタ法によりSiGe成長における水素導入効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Hydrogen Addition Effect on SiGe Growth by Ion-Beam Sputter Technique |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオンビームスパッタ / Ion-beam sputter |
| キーワード(2)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(3)（和/英） | 表面偏析 / surface segregation |
| キーワード(4)（和/英） | 水素サーファクタント / hydrogen surfactant |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐々木 公洋 / K. Sasaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部/自然科学研究科 Faculty of Engineering/Graduate School of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 池田 乙元 / T. Ikeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部/自然科学研究科 Faculty of Engineering/Graduate School of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高橋 幸大 / Y. Takahashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部/自然科学研究科 Faculty of Engineering/Graduate School of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 畑 朋延 / T. Hata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部/自然科学研究科 Faculty of Engineering/Graduate School of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2001/10/19 |
| 資料番号 | CPM2001-108 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 395 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |