| 講演名 | 2001/10/19 Cu/Ta-W/SiコンタクトにおけるCu拡散に対する界面シリサイド層の役割 野矢 厚, 武山 真弓, |
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| 抄録(和) | Ta-W固溶合金をバリヤに用いた, Cu/Ta-W/Siコンタクトにおける極微量Cuの拡散を二次イオン質量分析(SIMS)によるデプスプロファイルを得て検討した。その結果, 熱処理によりバリヤを拡散した極微量Cuは, バリヤとSiとの界面に形成されるTa-W-Siからなるアモルファス界面層によって, Si基板中への拡散を阻止されるが, この界面でシリサイドの形成が始まると, シリサイド中へ取り込まれ, シリサイド層からSi基板中への拡散が生じることが示された。 |
| 抄録(英) | We examined the extremely small amount of Cu diffusion the barrier in Cu/Ta-W/Si contact systems by secondary ion mass spectroscopy. The diffusion of Cu through the barrier was observed due to annealing, however, the penetration into the Si substrate was completely suppressed by the interfacial Ta-W-Si amorphous layer. As the silicidation reaction took place at the Ta-W/Si interface, Cu atoms were incorporated into the silicide layer and the penetration of Cu from the silicide interlayer into Si was observed. |
| キーワード(和) | Cu/Siコンタクト / 拡散バリヤ / Ta-W合金 / 二次イオン質量分析 / Cu拡散 |
| キーワード(英) | Cu/Si contact / diffusion barrier / Ta-W alloy / SIMS / Cu penetration |
| 資料番号 | CPM2001-106 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/10/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cu/Ta-W/SiコンタクトにおけるCu拡散に対する界面シリサイド層の役割 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of silicide formation for Cu diffusion in Cu/Ta-W/Si contact systems |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu/Siコンタクト / Cu/Si contact |
| キーワード(2)（和/英） | 拡散バリヤ / diffusion barrier |
| キーワード(3)（和/英） | Ta-W合金 / Ta-W alloy |
| キーワード(4)（和/英） | 二次イオン質量分析 / SIMS |
| キーワード(5)（和/英） | Cu拡散 / Cu penetration |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部 Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. TAKEYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部 Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/10/19 |
| 資料番号 | CPM2001-106 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 395 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |