| 講演名 | 2001/10/19 Cu/SiコンタクトにおけるZrNバリヤの構造がバリヤ特性に及ぼす影響 武山 真弓, 糸井 貴臣, 青柳 英二, 野矢 厚, |
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| 抄録(和) | 拡散バリヤの構造のバリヤ特性との関連を検討するため、我々は高配向ZrN及びナノクリスタルZrNバリヤを用いたCu/ZrN/Siコンタクト系のバリヤ特性を比較・検討した。その結果、ナノクリスタルZrNバリヤは800℃熱処理後においても、高配向ZrNバリヤで見られた構造変化を生じることなく、安定なコンタクトを保持でき、かつ20nmの薄いバリヤとしても600℃程度の温度までバリヤ自身の粒径成長を抑制し、Cuの拡散を効果的に抑制することが可能であることが明らかとなった。このことから、高信頼なCu配線コンタクト系を得るためには、バリヤ材料の構造にも着目した検討が必要であることが示唆された。 |
| 抄録(英) | The correlation between the barrier properties and the structure of the barrier was examined by using ZrN barriers with a (100) preferential orientation and with nano-crystalline structure in the Cu/ZrN/Si contact systems. The (100) oriented ZrN barrier indicated the failure of the contact system after annealing at 800 ℃ for 1 h due to the structural change of the barrier, while the nano-crystalline ZrN barrier showed excellent barrier properties without the structural change of the barrier layer upon annealing. Particularly, the Cu/ZrN/Si contact system using the 20 nm-thick ZrN barrier with nano-crystalline structure tolerated the annealing at 600 ℃ for 1 h without any fast diffusion of Cu. It was revealed that the barrier structure is an important factor of realization of the reliable Cu metallization. |
| キーワード(和) | Si-ULSIメタライゼーション / Cu配線 / 拡散バリヤ / ナノクリスタル / ZrN |
| キーワード(英) | Si-ULSI metallization / Cu interconnects / diffusion barrier / nanocrystalline / ZrN |
| 資料番号 | CPM2001-105 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/10/19(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cu/SiコンタクトにおけるZrNバリヤの構造がバリヤ特性に及ぼす影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Correlation between Barrier Properties and Structure of Barrier in Cu/ZrN/Si Contact System |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si-ULSIメタライゼーション / Si-ULSI metallization |
| キーワード(2)（和/英） | Cu配線 / Cu interconnects |
| キーワード(3)（和/英） | 拡散バリヤ / diffusion barrier |
| キーワード(4)（和/英） | ナノクリスタル / nanocrystalline |
| キーワード(5)（和/英） | ZrN / ZrN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. TAKEYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 糸井 貴臣 / Takaomi ITOI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青柳 英二 / Eiji AOYAGI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学金属材料研究所 Institute for Materials Research, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/10/19 |
| 資料番号 | CPM2001-105 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 395 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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