| 講演名 | 2001/10/19 触媒体上でのNF_3ガス分解反応を用いた低コスト・低環境負荷チャンバークリーニング法の開発 西村 悟, 増田 淳, 和泉 亮, 松村 英樹, |
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| 抄録(和) | 2400℃程度に加熱したタングステン触媒体上での接触分解反応により生成したNF_3分解種を用いて、単結晶シリコンを3500nm/min、シリコン窒化膜を740nm/min、溶融石英ガラスに関しても50nm/minでエッチング可能であることを示す。また、この手法を用いたチャンバークリーニング実施後のフッ素残渣について調べたところ、120nmのアモルファスシリコン堆積後には少なくともX線光電子分光レベルでは検出されない。このことより、膜堆積からin situ チャンバークリーニングまで触媒CVD(Cat-CVD)一貫プロセスが実施可能であることが示され、Cat-CVD法の実用化に向けて大きな前進が得られた。 |
| 抄録(英) | Etch rates of 3500 nm/min for single-crystalline silicon wafer, 740 nm/min for silicon nitride films on silicon wafer and 50 nm/min for fused quartz are obtained by using NF_3-decomposed species generated by catalytic cracking reaction on a heated tungsten wire at 2400℃. No fluorine contamination on the amorphous silicon layer with a thickness of 120 nm, deposited after the chamber cleanig by using the above NF_3-decomposed species, is detected by X-ray photoelectron spectroscopy. These results indicate that both deposition and in situ chamber cleaning are carried out in the catalytic chemical vapor deposition(Cat-CVD) apparatus, whitch is an important factor for the industrial application. |
| キーワード(和) | Cat-CVD / NF_3 / in situ チャンバークリーニング / 接触分解反応 |
| キーワード(英) | Cat-CVD / NF_3 / in situ chamber cleaning / catalytic cracking reaction |
| 資料番号 | CPM2001-102 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/10/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 触媒体上でのNF_3ガス分解反応を用いた低コスト・低環境負荷チャンバークリーニング法の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of chamber cleaning reducing both cost and environmental pollution by using catalytic cracking reaction of NF_3 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cat-CVD / Cat-CVD |
| キーワード(2)（和/英） | NF_3 / NF_3 |
| キーワード(3)（和/英） | in situ チャンバークリーニング / in situ chamber cleaning |
| キーワード(4)（和/英） | 接触分解反応 / catalytic cracking reaction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西村 悟 / Satoru NISHIMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 増田 淳 / Atsuhsi MASUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 和泉 亮 / Akira IZUMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松村 英樹 / Hideki MATSUMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2001/10/19 |
| 資料番号 | CPM2001-102 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 395 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |