| 講演名 | 2001/10/19 ヘリカルアンテナ励起窒素及びアンモニアプラズマの特性と半導体表面窒化特性 熊沢 謙太郎, 荒山 達郎, 岡 真一郎, 安井 寛治, 赤羽 正志, |
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| 抄録(和) | ヘリカルアンテナにより励起した窒素及びNH_3プラズマの特性評価とそれらを用いたGaAs結晶の表面窒化により得られた絶縁層の特性について調べた。両プラズマの特性を調べた結果、NH_3プラズマで若干電子温度が低く、また欠陥の終端効果が期待される水素原子や水素を含むラジカルが高密度に生成されていることが分かった。GaAs表面窒化特性についてはNH_3プラズマを用いることにより酸素の取り込みや界面欠陥密度が大きく低減されることが分かった。 |
| 抄録(英) | The characteristics of ammonia(NH_3) plasma generated by a helical antenna were compared with those of nitrogen(N_2) plasma. The high density H atoms and NH radicals, which are expected to terminate the defects, were generated in the NH_3 plasma from the optical emisson spectroscopy. The nitridation of GaAs surface was performed using the both plasmas, and the properties of the nitrided surface layer were cmpared. The contamination with oxygen in the nitridation layer by NH_3 plasma was reduced compared to that by N_2 plasma. From C-V characteristics, the interface state density was also reduced by the nitridation using the high-density NH_3 plasma. |
| キーワード(和) | ヘリカルアンテナ / 窒化層 / 窒素プラズマ / アンモニアプラズマ |
| キーワード(英) | Helical antenna / mitridation layer / nitrogen plasma / ammonia plasma |
| 資料番号 | CPM2001-101 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/10/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ヘリカルアンテナ励起窒素及びアンモニアプラズマの特性と半導体表面窒化特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of N_2 and NH_3 Plasmas Excited by a Helical Antenna and the Properities of Surface Layer of GaAs Nitrided by Them |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ヘリカルアンテナ / Helical antenna |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化層 / mitridation layer |
| キーワード(3)（和/英） | 窒素プラズマ / nitrogen plasma |
| キーワード(4)（和/英） | アンモニアプラズマ / ammonia plasma |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 熊沢 謙太郎 / Kentarou KUMAZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部 Department of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 荒山 達郎 / Taturou ARAYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部 Department of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡 真一郎 / Shin'ichirou OKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部 Department of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji YASUI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部 Department of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 赤羽 正志 / Tadashi AKAHANE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部 Department of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2001/10/19 |
| 資料番号 | CPM2001-101 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 395 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |