講演名 | 2001/10/19 MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長におけるバッファ層アニールの影響 四田 泰代, 角谷 正友, 大塚 康二, 桑原 憲弘, 高野 泰, 福家 俊郎, |
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抄録(和) | MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長において一般に低温バッファ層が用いられているが、本研究ではバッファ層のアニール時間がバッファ層自体の特性、及びその上に成長させた高温GaN成長層の結晶性などへ影響について成長結晶の極性を考慮しながら調べた。初期窒化したサファイア基板上(N面成長)では、バッファ層は凝集再配列せず、再蒸発速度も速い。そのために、GaN成長層の結晶性のバッファ層アニール時間依存性は大きい。また、窒化しない基板上(Ga面成長)では、GaNバッファ層は基板との反応が起こりやすく、AlGaN混晶として残る。 |
抄録(英) | Low-temperature buffer layers have been usually used for the growth of GaN on sapphire substrates by MOVPE. In this paper, the effect of buffer layer annealing-time on the characteristics of buffer layer and GaN layers grown on it was investigated considering the polarity of grown GaN layer. For the growth on nitrided substrates(N face growth), little cohesion of the buffer layer was observed and reevaporation rate was fast. Hence the crystallinity of GaN layer grown on these buffer layers changed significantly depending on the annealing time. For non-nitrided substrate(Ga face growth), GaN buffer layer reacted with the sapphire substrate and thin AlGaN buffer layer was formed. |
キーワード(和) | GaN成長 / MOCVD法 / サファイア基板 / GaNバッファ層 / アニール / 結晶性 |
キーワード(英) | GaN / MOCVD / sapphire substrates / GaN buffer layer / anneal / crystallinity |
資料番号 | CPM2001-100 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2001/10/19(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長におけるバッファ層アニールの影響 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Effect of buffer layer annealing on the GaN growth on sapphire substrates by MOCVD |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | GaN成長 / GaN |
キーワード(2)(和/英) | MOCVD法 / MOCVD |
キーワード(3)(和/英) | サファイア基板 / sapphire substrates |
キーワード(4)(和/英) | GaNバッファ層 / GaN buffer layer |
キーワード(5)(和/英) | アニール / anneal |
キーワード(6)(和/英) | 結晶性 / crystallinity |
第 1 著者 氏名(和/英) | 四田 泰代 / Y. Yotsuda |
第 1 著者 所属(和/英) | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 角谷 正友 / M. Sumiya |
第 2 著者 所属(和/英) | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 大塚 康二 / K. Ohtuka |
第 3 著者 所属(和/英) | サンケン電気(株)研究所 Research and Development Division, Sanken Electric Co., Ltd. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 桑原 憲弘 / K. Kuwahara |
第 4 著者 所属(和/英) | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 高野 泰 / Y. Takano |
第 5 著者 所属(和/英) | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
第 6 著者 氏名(和/英) | 福家 俊郎 / S. Fuke |
第 6 著者 所属(和/英) | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
発表年月日 | 2001/10/19 |
資料番号 | CPM2001-100 |
巻番号(vol) | vol.101 |
号番号(no) | 395 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |