講演名 2001/10/19
MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長におけるバッファ層アニールの影響
四田 泰代, 角谷 正友, 大塚 康二, 桑原 憲弘, 高野 泰, 福家 俊郎,
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抄録(和) MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長において一般に低温バッファ層が用いられているが、本研究ではバッファ層のアニール時間がバッファ層自体の特性、及びその上に成長させた高温GaN成長層の結晶性などへ影響について成長結晶の極性を考慮しながら調べた。初期窒化したサファイア基板上(N面成長)では、バッファ層は凝集再配列せず、再蒸発速度も速い。そのために、GaN成長層の結晶性のバッファ層アニール時間依存性は大きい。また、窒化しない基板上(Ga面成長)では、GaNバッファ層は基板との反応が起こりやすく、AlGaN混晶として残る。
抄録(英) Low-temperature buffer layers have been usually used for the growth of GaN on sapphire substrates by MOVPE. In this paper, the effect of buffer layer annealing-time on the characteristics of buffer layer and GaN layers grown on it was investigated considering the polarity of grown GaN layer. For the growth on nitrided substrates(N face growth), little cohesion of the buffer layer was observed and reevaporation rate was fast. Hence the crystallinity of GaN layer grown on these buffer layers changed significantly depending on the annealing time. For non-nitrided substrate(Ga face growth), GaN buffer layer reacted with the sapphire substrate and thin AlGaN buffer layer was formed.
キーワード(和) GaN成長 / MOCVD法 / サファイア基板 / GaNバッファ層 / アニール / 結晶性
キーワード(英) GaN / MOCVD / sapphire substrates / GaN buffer layer / anneal / crystallinity
資料番号 CPM2001-100
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2001/10/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長におけるバッファ層アニールの影響
サブタイトル(和)
タイトル(英) Effect of buffer layer annealing on the GaN growth on sapphire substrates by MOCVD
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) GaN成長 / GaN
キーワード(2)(和/英) MOCVD法 / MOCVD
キーワード(3)(和/英) サファイア基板 / sapphire substrates
キーワード(4)(和/英) GaNバッファ層 / GaN buffer layer
キーワード(5)(和/英) アニール / anneal
キーワード(6)(和/英) 結晶性 / crystallinity
第 1 著者 氏名(和/英) 四田 泰代 / Y. Yotsuda
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学工学部電気・電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University
第 2 著者 氏名(和/英) 角谷 正友 / M. Sumiya
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学工学部電気・電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University
第 3 著者 氏名(和/英) 大塚 康二 / K. Ohtuka
第 3 著者 所属(和/英) サンケン電気(株)研究所
Research and Development Division, Sanken Electric Co., Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 桑原 憲弘 / K. Kuwahara
第 4 著者 所属(和/英) 静岡大学工学部電気・電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University
第 5 著者 氏名(和/英) 高野 泰 / Y. Takano
第 5 著者 所属(和/英) 静岡大学工学部電気・電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University
第 6 著者 氏名(和/英) 福家 俊郎 / S. Fuke
第 6 著者 所属(和/英) 静岡大学工学部電気・電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University
発表年月日 2001/10/19
資料番号 CPM2001-100
巻番号(vol) vol.101
号番号(no) 395
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日