| 講演名 | 2001/10/19 3元蒸着法によるSi基板上へのCuInS_2薄膜成長 渡辺 将人, 小林 敏志, 坪井 望, 瀬賀 寿幸, 大石 耕一郎, 金子 双男, |
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| 抄録(和) | 薄膜太陽電池の光吸収材料として重要なCuInS_2薄膜を、500℃のSi(100)基板上に3元真空蒸着法によって堆積した。Inセル温度とSセル温度をそれぞれ650℃と150℃に固定し、Cuセル温度を950～1010℃の間で変化することにより薄膜の組成制御が可能となった。Cuセル温度が約980℃のとき、多結晶の痕跡が全く認められないストイキオメトリーなCuInS_2エピタキシャル成長膜を得ることができた。得られた薄膜の結晶構造はバルクで一般的な正方晶のカルコパイライト構造ではなく、立方晶のスファレライト構造であった。 |
| 抄録(英) | CuInS_2 thin films have been grown on Si(100) wafers at 500-℃ by the three-sources vacuum evaporation method. When In and S source temperatures are kept constant at 650-℃ and 150-℃ respectively, the composition of films is controlled by changing the Cu source temperature between 950 and 1010-℃. At 980-℃ of Cu source temperature, epitaxial films free of any inclusion of polycrystals with stoichiometric composition are grown. The crystal structure is not chalcopyrite, which is typical for bulk crystal, but sphalerite. |
| キーワード(和) | CuInS_2 / 真空蒸着法 / カルコパイライト構造 / スファレライト構造 / X線回折 |
| キーワード(英) | CuInS_2 / Vacuum evaporation method / Chalcopyrite structure / Sphalerite structure / X-ray diffracton / Reflection high Energy electron diffraction |
| 資料番号 | CPM2001-99 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/10/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3元蒸着法によるSi基板上へのCuInS_2薄膜成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of CuInS_2 on Si Wafers by Three-Sources Vacuum Evaporation Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CuInS_2 / CuInS_2 |
| キーワード(2)（和/英） | 真空蒸着法 / Vacuum evaporation method |
| キーワード(3)（和/英） | カルコパイライト構造 / Chalcopyrite structure |
| キーワード(4)（和/英） | スファレライト構造 / Sphalerite structure |
| キーワード(5)（和/英） | X線回折 / X-ray diffracton |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 将人 / Masato WATANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小林 敏志 / Satoshi KOBAYASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坪井 望 / Nozomu TUBOI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 瀬賀 寿幸 / Toshiyuki SEGA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大石 耕一郎 / Koichiro OISHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 Nagaoka National College of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 金子 双男 / Futao KANEKO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 発表年月日 | 2001/10/19 |
| 資料番号 | CPM2001-99 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 395 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |