講演名 | 2001/10/19 CuInS_2薄膜へのGa添加 後藤 寛幸, 岸田 朋丈, 大橋 剛, 橋本 佳男, 伊東 謙太郎, |
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抄録(和) | Cu/In/Ga金属積層膜に硫化処理を施しCuInS_2薄膜にGaを添加する効果について調べた。Gaの添加量0.01~0.1とし、硫化処理の昇温行程を変えた。Ga源には金属GaとGaSを用いた。X線回折により、金属Gaを添加してもCuInS_2の格子定数のままであることがわかった。Ga/(In+Ga)=0.01で金属Gaを加えるとやや結晶性が向上していた。XPSによる深さ分析の結果、膜中Ga分布は金属Gaを用いると、膜全体に分布しGaS用いた場合とは異なった。そして、表面にできるとされる突起状結晶がGa添加により抑制されることも確認した。 |
抄録(英) | We have studied roles of Ga-doping on CuInS_2 films grown from sulfurization of Cu/In/Ga precursors. Three ramp patterns of sulfurization were studied. Compound GaS as well as metal Ga was used as a Ga source. X-ray diffraction has shown that Ga doping does not change the lattice parameters. Slight amount of Ga(Ga/III=0.01), however, seems to improve the crystalinity of the CuInS_2 film. When the metal Ga is used, Ga distributes from the bottom to the top the resultant CuInS_2 film. This is much different from GaS case. In-rich hillocks are supressed by Ga or GaS doping to the preecursor. |
キーワード(和) | 太陽電池 / Ga添加 / 硫化処理 / CuInS_2薄膜 |
キーワード(英) | Solar Cell / Ga Doping / Sulphurization / CuInS_2 Thin Film |
資料番号 | CPM2001-97 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2001/10/19(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | CuInS_2薄膜へのGa添加 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Ga Doping To CuInS_2 Thin Film |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 太陽電池 / Solar Cell |
キーワード(2)(和/英) | Ga添加 / Ga Doping |
キーワード(3)(和/英) | 硫化処理 / Sulphurization |
キーワード(4)(和/英) | CuInS_2薄膜 / CuInS_2 Thin Film |
第 1 著者 氏名(和/英) | 後藤 寛幸 / Hiroyuki Goto |
第 1 著者 所属(和/英) | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shishu University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 岸田 朋丈 / Tomotake Kishida |
第 2 著者 所属(和/英) | シャープ SHARP Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 大橋 剛 / Tuyoshi Ohashi |
第 3 著者 所属(和/英) | 荏原製作所 Ebara Corporation |
第 4 著者 氏名(和/英) | 橋本 佳男 / Yoshio Hashimoto |
第 4 著者 所属(和/英) | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shishu University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 伊東 謙太郎 / Kentaro Ito |
第 5 著者 所属(和/英) | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shishu University |
発表年月日 | 2001/10/19 |
資料番号 | CPM2001-97 |
巻番号(vol) | vol.101 |
号番号(no) | 395 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |