講演名 2001/10/19
硫黄を用いた硫化法によるCuInS_2薄膜の作製と評価
巻渕 大輔, 橋本 佳男, 伊東 謙太郎,
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抄録(和) Cu/In金属積層膜を単体の硫黄を用いて硫化処理を行なうことにより、CuInS_2薄膜を作製した。その物性をX線回折装置、EPMA、SEM等を用いて解析し、従来の硫化水素で硫化した試料との比較を行なった。硫黄を用いて硫化してもCuInS_2薄膜を作製することができた。不純物層はCuSであることが分かり、KCN処理によって取り除く事ができた。硫化後のCu/In比はプリカーサのCu/In比に依存せず、硫化後は大きくCu-richになる。Cu-poorか、In-topのプリカーサを硫化すると突起状結晶ができる。この突起を抑制するため、そして結晶粒径を大きくするためにもCu-richのプリカーサを用いた方がよい。
抄録(英) We have grown CuInS_2 thin films sulfurized with elemental sulfur vapor and analyzed the properties of these films by XRD, EPMA, SEM and compared with samples sulfurized with H_2S. We can fabricate CuInS_2 thin films with elemental sulfur vapor. The impurity phase is CuS, which is easily removed by a KCN treatment. Cu/In ratio after sulfurization is not dependent on Cu/In ratio of precursor, and tends to be Cu-rich. Many hillocks are observed which Cu-poor or In-top precursor is sulfurised. Cu-rich precursor is prefered to restrain this hillock and to grow large grain.
キーワード(和) 太陽電池 / 薄膜 / CuInS_2 / 硫黄 / カルコパイライト
キーワード(英) solar cells / thin film / CuInS_2 / sulfur / chalcopyrite
資料番号 CPM2001-96
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2001/10/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 硫黄を用いた硫化法によるCuInS_2薄膜の作製と評価
サブタイトル(和)
タイトル(英) Properties of CuInS_2 thin films sulfurized with sulfur vapor
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 太陽電池 / solar cells
キーワード(2)(和/英) 薄膜 / thin film
キーワード(3)(和/英) CuInS_2 / CuInS_2
キーワード(4)(和/英) 硫黄 / sulfur
キーワード(5)(和/英) カルコパイライト / chalcopyrite
第 1 著者 氏名(和/英) 巻渕 大輔 / Daisuke Makibuchi
第 1 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineeringm Shinshu University
第 2 著者 氏名(和/英) 橋本 佳男 / Yoshio Hashimoto
第 2 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineeringm Shinshu University
第 3 著者 氏名(和/英) 伊東 謙太郎 / Kentaro Ito
第 3 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineeringm Shinshu University
発表年月日 2001/10/19
資料番号 CPM2001-96
巻番号(vol) vol.101
号番号(no) 395
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日