| 講演名 | 2001/10/4 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET 安藤 裕二, 岡本 康宏, 宮本 広信, 羽山 信幸, 中山 達峰, 笠原 健資, 葛原 正明, |
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| 抄録(和) | 薄層化サファイア基板上にAlGaN/GaN系高出力ヘテロ接合FET(HJFET)を作製した。オンウェーハ評価により, SiN保穫膜形成による電力密度向上(1.2→2.1 W/mm)を確認した。50μm厚サファイア基板上のゲート幅8mmのSiN保護膜HJFETは26V動作にてCW出力11.9、線形利得13.3dB、電力付加効率(PAE)49.7%を示した。また、50μm厚サファイア基板上のゲート幅16mmの非保護膜HJFETでは34V動作にてCW出力15.9W、線形利得9.OdB、PAE29.1%が得られた。出力15.9Wはサファイア基板上GaN系FETの最高値であり、薄層化サファイア上GaN技術の有用性を示している。 |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN power heterojunction FETs(HJFETs)were fabricated on a thinned sapphire substrate. On-wafer measurement indicated power density enhancement(1.2 to 2.1 W/mm)with SiN passivation. An 8 mm-wide SiN-passivated HJFET on a 50 μm-thick sapphire exhibited 11.9 W CW saturated output power, l3.3 dB linear gain, and 49.7 % power-added efrlciency(PAE)at 26 V drain bias. Also, a 16.mm-wide unpassivated HJFET on a 50 μm-thick sapphire demonstrated 15.9 W CW saturated output power, 9.0 dB linear gain, and 29.1 % PAE at 34 V drain bias. The 15.9 W result is the highest total power achieved for GaN FETs on sapphire, establishing the validity of the GaN-on-thinned-sapphire technology. |
| キーワード(和) | GaN / サファイア / FET |
| キーワード(英) | GaN / Sapphire / FET |
| 資料番号 | ED2001-137, CPM2001-90 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/10/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 15 W AlGaN/GaN Heterojunction FET on Thinned Sapphire |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | サファイア / Sapphire |
| キーワード(3)（和/英） | FET / FET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安藤 裕二 / Yuji ANDO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岡本 康宏 / Yasuhiro OKAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮本 広信 / Hironobu MIYAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 羽山 信幸 / Nobuyuki HAYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中山 達峰 / Tatsuo NAKAYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 笠原 健資 / Kensuke KASAHARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / Masaaki KUZUHARA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2001/10/4 |
| 資料番号 | ED2001-137, CPM2001-90 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 338 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |