| 講演名 | 2001/10/4 ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価 元垣内 敦司, 太田 慶一, 平松 和政, 大内 洋一郎, 只友 一行, 濱村 寛, 福井 一俊, |
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| 抄録(和) | 可視域から真空紫外域(2～25eV)におけるGaN系ショットキー型受光素子の受光感度特性について、シンクロトロン放射光を用いて調べた。厚さ10nmのAu電極の透過率は約40～50%で、真空紫外光を透過させるのに充分な厚さである。受光感度を測定したところ3.5eV以上の紫外及び真空紫外光のみが受光した。最大感度は3.5のとき0.15A/Wだった。真空紫外領域(6～25eV)での受光感度は約0.01A/Wであった。測定回路を工夫することで、 Au及びGaNの光電子放出の影響を受けないで受光感度を測定することが可能になった。 |
| 抄録(英) | The characterization of GaN based Schottky photodiode using synchrotron radiation between 2 and 25 eV was carried out. The transmittance of a Au electrode with the thickness of 10 nm was 40-50%. It is enough thin to transmit vacuum ultraviolet(VUV)light. This photodiode can detect only UV and VUV light(> 3.5 eV). The maximum responsivity was 0.15 A/W @ 3.5 eV. The responsivity in VUV region(6-25 eV)was about 0.01 A/W. Furthermore. improving measuring circuit, responsivity can be measured avoiding the photoemission of Au and GaN. |
| キーワード(和) | GaN / Au / 紫外線受光素子 / ショットキー接合 / シンクロトロン放射光 / 光電子放出 / 透過率 |
| キーワード(英) | GaN / Au / UV photodiode / Schottky contact / synchrotron radiation / photoemission / transmitlance |
| 資料番号 | ED2001-135, CPM2001-88 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/10/4(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of GaN based Schottky UV photodiode in vacuum ultraviolet region |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | Au / Au |
| キーワード(3)（和/英） | 紫外線受光素子 / UV photodiode |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキー接合 / Schottky contact |
| キーワード(5)（和/英） | シンクロトロン放射光 / synchrotron radiation |
| キーワード(6)（和/英） | 光電子放出 / photoemission |
| キーワード(7)（和/英） | 透過率 / transmitlance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 元垣内 敦司 / A Motogaito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 太田 慶一 / K Ohta |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / K Hiramatsu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大内 洋一郎 / Y Ohuchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電線工業(株)フォトニック研究所 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 只友 一行 / K Tadatomo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電線工業(株)フォトニック研究所 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 濱村 寛 / Y Hamamura |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)ニコン精機カンパニー Nikon Corporations |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 福井 一俊 / K Fukui |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 福井大学遠赤外領域開発センター Fukui University |
| 発表年月日 | 2001/10/4 |
| 資料番号 | ED2001-135, CPM2001-88 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 338 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |