| 講演名 | 2001/10/4 InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED 平山 秀樹, 木下 敦寛, 相野谷 誠, 山火 貴義, 山中 卓也, 平田 彰, 青柳 克信, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本稿では, 300nm帯の高輝度紫外光素子を実現するためのInAlGaN4元混晶の高品質結晶作製について概説する。我々はAlGaNにInを5%程度含有すると、In組成変調効果によって、300nm帯の紫外領域発光が大幅に増強されることを明らかにした。様々な組成のIn_xAl_yGa_<1-x-y>N4元バルク混晶を作製し、320nm-380nmの紫外波長で、InGaNの青色発光と同等の高輝度が室温において得られた。またIn_xAl_yGa_<1-x-y>N4元混晶を用いた量子井戸を作製し29Onm-390nmの室温高輝度発光を得た。さらにInAlGaNを活性層に用いた紫外LEDを試作し345nmの高輝度発光を得た。これらの結果から、InAlGaN4元混晶は300nm帯の紫外高輝度LED, LDの実現に大変有用であると考えられる。 |
| 抄録(英) | We report on the growth and optical properties of quatemary InAlGaN for the application of 300-350 nm-band bright ultraviolet(UV)light-emitting diodes(LEDs)or laser diodes(LDs). We demonstrated that the 300-nm-band UV emission is considerably enhanced by the In-segregation effect upon introducing approximately 5% of In into AlGaN. We fabricated ln_ |
| キーワード(和) | In_xAlyGa_<1-x-y>N4元混晶 / 紫外高輝度LED / 紫外LD / MOCVD / In組成変調 |
| キーワード(英) | quaternary In_xAl_yGa_<1-x-y>N / UV-LEDs / UV-LDs / MOCVD / In-segregation |
| 資料番号 | ED2001-134, CPM2001-87 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2001/10/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Efficiency 330-350nm UV-LEDs Using Quaternary InAlGaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | In_xAlyGa_<1-x-y>N4元混晶 / quaternary In_xAl_yGa_<1-x-y>N |
| キーワード(2)（和/英） | 紫外高輝度LED / UV-LEDs |
| キーワード(3)（和/英） | 紫外LD / UV-LDs |
| キーワード(4)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(5)（和/英） | In組成変調 / In-segregation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平山 秀樹 / Hideki HIRAYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 理化学研究所 半導体工学研究室 RIKEN(The Institute of Physical and Chemical Research) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 木下 敦寛 / Atsuhiro KINOSHITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学部応用化学科 Department of Chemical Engineering, Waseda University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 相野谷 誠 / Makoto AINOYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学部応用化学科 Department of Chemical Engineering, Waseda University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山火 貴義 / Takayoshi YAMABI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学部応用化学科 Department of Chemical Engineering, Waseda University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山中 卓也 / Takuya YAMANAKA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学部応用化学科 Department of Chemical Engineering, Waseda University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 平田 彰 / Akira HIRATA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学部応用化学科 Department of Chemical Engineering, Waseda University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 青柳 克信 / Yoshinobu AOYAGI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 理化学研究所 半導体工学研究室 RIKEN(The Institute of Physical and Chemical Research) |
| 発表年月日 | 2001/10/4 |
| 資料番号 | ED2001-134, CPM2001-87 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 338 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |