| 講演名 | 2001/10/4 RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長 寺口 信明, 鈴木 彰, 名西 〓之, |
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| 抄録(和) | 我々は、RF-MBE法によってGaGdNおよびAlGdN混晶半導体の成長に初めて成功した。混晶から求めた準安定状態のウルツ鉱構造GdNの(歪を受けた状態での)a軸およびc軸の格子定数は、それぞれ0.348nm、0.549nmと見積られた。Ga_<0.94>Gd_<0.06>Nの室温におけるCLのバンド端発光波長は、370nmとなっており、GaNの363nmよりも大きな値となっていた。また645nm付近にGd^<3+>イオンに起因する発光も確認された。AlGdNのCL測定では、317nmに強くて鋭い発光が観察された。 |
| 抄録(英) | We have successfully grown GaGdN and AlGdN alloy semiconductors by RF-MBE for the first time. Those are epitaxially grown on(0001)6H-SiC substrates. The strained lattice constants for the a-axis and the c-axis of wurtzite structure of GdN are estimated to be 0.348nm and 0.549nm, respectively. The band-edge emission wavelength of Ga_<0.94>Gd_<0.06>N measured by room temperature cathodoluminescence(CL)is 370nm, which is slightly longer than that of GaN(363nm). A Gd^<3+> related emission is also observed at 645nm in the CL spectra. In the CL spectra of AlGdN, a strong and sharp emission located at 317nm is observed. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | SiC / RF-MBE / GaN / AlN / GaGdN / AlGdN |
| 資料番号 | ED2001-132, CPM2001-85 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/10/4(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of Nitride Semiconductors on SiC substrates by RF-MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / SiC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 寺口 信明 / Nobuaki TERAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | シャープ(株)基盤技術研究所 Advanced Technol.Res.Labs., Sharp Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 彰 / Akira SUZUKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | シャープ(株)基盤技術研究所 Advanced Technol.Res.Labs., Sharp Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 名西 〓之 / Yasushi Nanishi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 立命館大学 電子光情報工学科 Dept.of Photonics, Ritsumeikan Univ. |
| 発表年月日 | 2001/10/4 |
| 資料番号 | ED2001-132, CPM2001-85 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 338 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |