| 講演名 | 2001/10/4 TlInGaAs/InPダブルヘテロ構造LED 溝端 亜希子, 李 輝宰, 小西 健太, 前田 修, 朝日 一, |
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| 抄録(和) | 従来のIII-V族半導体にTl元素を加えたTlInGaAs/InP混晶について、ガスソースMBE法による成長を行った。TlInGaAsは半金属であるTlAsと半導体のInGaAsから構成される混晶で、周囲温度に依存しないバンドギャップを持つ可能性があり、波長分割多重(WDM)光通信用の温度無依存波長の半導体レーザ用材料として期待される。これまでに、我々はTl組成13%のDHサンプルにおいて、フォトルミネッセンス(PL)ピークエネルギーの温度変化が, 0.03meV/Kと小さな値を得た。本論文では、TlInGaAs混晶を用いてダブルヘテロLEDを試作したのでその結果について報告する。 |
| 抄録(英) | TlInGaAs qtuternary layers arw successfully grown on InP substrates by gas source molecular beam epitaxy. TlInGaAs is the alloy consisting of semimetal TlAs and semiconductor InGaAs. We recently proposed this new semiconductor material system for the temperature insensitive wavelength laser diodes, which is important for the WDM systems. We have already observed very small temperature variation of the photoluminescence(PL)peak energy as small as -0.03meV/K for the TlInGaAs/InP double heterostructures(DHs)with Tl composition of l3%. This paper describes the successful fabrication of TlInGaAs/InP DH light emitting diodes(LEDs)and their properties. |
| キーワード(和) | タリウム系半導体 / 長波長デバイス材料 / 温度無依存バンドギャップ / LED |
| キーワード(英) | thallium containing semiconductor / long wavelength laser diode / temperature independent bandgap / LED |
| 資料番号 | ED2001-131, CPM2001-84 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/10/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TlInGaAs/InPダブルヘテロ構造LED |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | TlInGaAs/Inp Double Hetero Structures LED |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | タリウム系半導体 / thallium containing semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | 長波長デバイス材料 / long wavelength laser diode |
| キーワード(3)（和/英） | 温度無依存バンドギャップ / temperature independent bandgap |
| キーワード(4)（和/英） | LED / LED |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 溝端 亜希子 / Akiko Mizobata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 李 輝宰 / Hwi Jae Lee |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小西 健太 / Kenta Konishi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 前田 修 / Osamu Maeda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 朝日 一 / Hajime Asahi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 発表年月日 | 2001/10/4 |
| 資料番号 | ED2001-131, CPM2001-84 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 338 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |