| 講演名 | 2001/7/27 有機金属分解によるチタン酸鉛薄膜の構造と電気的特性 木村 健志, 福田 永, 野村 滋, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 次世代ULSIとしてゲート部分に強誘電体材料を用いたFET型強誘電体メモリが注目を集めている。本研究では、FET型強誘電体メモリに着目し、有機金属分解(MOD)によってチタン酸鉛(PbTiO_3)薄膜をSi基板上に形成した。そして、SiとPTOの界面反応を防ぐためにバッファ層としてチタン酸ストロンチウム(SrTiO_3)および酸化イットリウム(Y_2O_3)を用いてMFIS構造を作製した。その結果、バッファ層としてSrTiO_3、O_2雰囲気中でアニールした場合が最も結晶性が良くなり、誘電率が最大で157程度となった。また、容量-電圧特性はPbTiO_3の分極効果と見られるヒステリシスループが確認できた。 |
| 抄録(英) | The FET-type ferroelectric memory with ferroelectric thin films as the gate dielectric is attracting much attention as next generation ULSIs. In this study, we have fabricated the FET-type ferroelectric memory using PbTiO_3 thin film on Si by metalorganic decomposition(MOD). We have fabricated MFIS structure with SrTiO_3 and Y_2O_3 as buffer layer to protect interfacial reaction between Si and PbTiO_3 thin film. The SrTiO_3 film as a buffer layer after annealing O_2 ambient showed good crystalinity, and high dielectric constant about 157 in maximum. Capacitance-voltage characteristics indicated a hysteresis loop due to polarization effect. |
| キーワード(和) | PbTiO_3 / SrTiO_3 / Y_2O_3 / MFIS-FET / 強誘電体 |
| キーワード(英) | PbTiO_3 / SrTiO_3 / Y_2O_3 / MFIS-FET / ferroelectric |
| 資料番号 | CPM2001-50 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2001/7/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機金属分解によるチタン酸鉛薄膜の構造と電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical properties and Structure of Ferroelectric PbTiO_3 thin Films formed by metalorganic decomposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | PbTiO_3 / PbTiO_3 |
| キーワード(2)（和/英） | SrTiO_3 / SrTiO_3 |
| キーワード(3)（和/英） | Y_2O_3 / Y_2O_3 |
| キーワード(4)（和/英） | MFIS-FET / MFIS-FET |
| キーワード(5)（和/英） | 強誘電体 / ferroelectric |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 木村 健志 / Kenji Kimura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福田 永 / Hisashi Fukuda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野村 滋 / Shigeru Nomura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/7/27 |
| 資料番号 | CPM2001-50 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 245 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |