| 講演名 | 2001/7/27 低温成膜したITO薄膜の微細構造 星 陽一, 清村 貴利, |
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| 抄録(和) | 運動エネルギー制御堆積法を用いて50℃以下の基板温度で、スパッタ電圧100V～300Vで成膜したITO薄膜の真空中熱処理前後の微細構造を、高分解能透過電子顕微鏡を用いて調べた。その結果、大きな運動エネルギーを持った堆積粒子が基板に入射する低ガス圧領域では、膜中に結晶粒子の成長がみとめられるのに対して、ガス圧を増加させていくと非晶質の一様な膜が得られることが確認された。さらにスパッタ電圧を増していくと、結晶化が促進されるものの、膜は20nm程度の微細な結晶粒子から構成されており、ホール移動度の小さな膜となってしまうことが分かった。一方、得られた非晶質膜を熱処理すると、非晶質相中に大きな結晶粒子が成長してくる低温熱処理においては、ホール移動度の増加が起こるものの、さらに温度を上げていくと、結晶化がさらに促進されるものの、大きな結晶中に20nm前後の大きなサブグレイン構造を持つ結晶となってしまい、移動度の急激な減少を引き起こすことが分かった。 |
| 抄録(英) | Indium tin oxide(ITO) thin films were deposited at a temperature below 50 ℃ by using a kinetic energy controlled sputter-deposition. The films deposited at lower sputtering voltages and higher gas pressures have uniform amorphous structure along with a large Hall mobility as large as 50 cm^2/Vsec. Crystallization of the film was promoted by an increase in sputtering voltages, although the crystallite size in the film took a very small value about 20 nm, so that the film had a small value in Hall mobility. The amorphous film was crystallized and crystallites above 100 nm in size were formed by the annealing at a temperature above 150 ℃, where Hall mobility of the film took a maximum. Further increase in annealing temperature leads to a formation of small sub-grains of about 20 nm in the crystallite, which results in a significant decrease in the Hall mobility of the film. |
| キーワード(和) | 透明導電膜 / ITO / 低電圧スパッタ / 運動エネルギー制御堆積法 / 低温成膜 |
| キーワード(英) | transparent conductive film / ITO / low voltage sputtering / kinetic energy controlled sputter-deposition |
| 資料番号 | CPM2001-48 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/7/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低温成膜したITO薄膜の微細構造 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Microstructure of indium tin oxide thin films sputter-deposited at a low temperature |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 透明導電膜 / transparent conductive film |
| キーワード(2)（和/英） | ITO / ITO |
| キーワード(3)（和/英） | 低電圧スパッタ / low voltage sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | 運動エネルギー制御堆積法 / kinetic energy controlled sputter-deposition |
| キーワード(5)（和/英） | 低温成膜 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 星 陽一 / Yoichi Hoshi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 清村 貴利 / Takakazu Kiyomura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics |
| 発表年月日 | 2001/7/27 |
| 資料番号 | CPM2001-48 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 245 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |