| 講演名 | 2001/7/26 白金一酸化タングステンゲートMOSFET型COガスセンサの応答特性 長堀 哲也, 福田 永, 野村 滋, |
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| 抄録(和) | 一酸化炭素(CO)ガスをppmオーダーの濃度で検知できるMOSFET 型ガスセンサを試作した。MOSFETゲート電極は、COガスを吸着拡散させる白金(Pt)層と触媒活性酸化タングステン(WO_3)層を積層して形成した。MOSFETの動作温度を20、75、100℃に設定し、CO雰囲気中での動作特性を測定した。CO濃度の増加とともに、飽和ドレイン電流の増加、しきい値電圧の負電圧方向でのシフト量が見られた。MOSFETの動作について、Pt/WO_3界面におけるCO分子の吸着・脱離過程より解析した。作製したMOSFETにおいて、空気中、20℃動作で濃度54ppmのCOを検知できることを確認した。 |
| 抄録(英) | The MOSFET gas sensors to detect ppm order of carbon monoxide(CO)gas have been fabricated. The MOSFET has the stacked gate structure with platinum layer in which CO molecules are adsorbed and diffused, and with tungsten oxide film as a catalytic layer. the device characteristics were investigated at the operating temperature of 20, 75and 100℃, respectively. The increase of drain current in the saturation region and shift of threshold voltage toward negative bias direction were observed after CO gas exposure. The sensing mechanism was analyzed from the adsorption and desorption of CO molecules at the Pt/WO_3 interface. We have confirmed MOSFET sensitivity of 54 ppm at the operation of 20 ℃ in air. |
| キーワード(和) | MOSFET / ガスセンサ / CO / Pt / WO_3 |
| キーワード(英) | MOSFET / gas sensor / carbon monoxide / Pt/WO_3 |
| 資料番号 | CPM2001-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/7/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 白金一酸化タングステンゲートMOSFET型COガスセンサの応答特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Pt-Wo_3 Gate MOSFET Sensor For CO Gas Sensor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | ガスセンサ / gas sensor |
| キーワード(3)（和/英） | CO / carbon monoxide |
| キーワード(4)（和/英） | Pt / Pt/WO_3 |
| キーワード(5)（和/英） | WO_3 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 長堀 哲也 / Tetsuya NAGAHORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Enginnering Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福田 永 / Hisashi FUKUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Enginnering Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野村 滋 / Shigeru NOMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Enginnering Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/7/26 |
| 資料番号 | CPM2001-46 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 244 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |