| 講演名 | 2001/7/26 シリコン酸化膜中のゲルマニウム微結晶における光学および電気的特性 松永 慎一, 福田 永, 野村 滋, 西野 元一, |
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| 抄録(和) | 本研究では次世代不揮発性メモリとして注目されているナノクリスタルメモリへの応用を目的として、有機金属分解(MOD)法によりシリコン酸化膜(SiO_2)中にゲルマニウム(Ge)微結晶を自己集合化させ、その結晶性および電気的特性を評価した。SiO_2中にGeを拡張し熱処理すると、GeはSiO_2中で自己集合化し、最終的にナノサイズの微結晶粒となる。本研究で得られたGe微結晶はラマン分光測定の結果、3～5nmのサイズと見積られ、またフォトルミネッセンス(PL)測定の結果、Ge微結晶成長による青色発光が室温で観測された。さらにSiO_2/Ge/SiO_2の量子井戸への電子注入によるC-V特性のフラットバンド電圧の変化も確認できた。 |
| 抄録(英) | The purpose of this study is the application to nanocrystal memory noticed as a non-volatility memory of next generation. We made germanium(Ge) nanocrystals self-assembled in silicon dioxide(SiO_2)film by metalorganic decomposition(MOD)method, and investigated their crystallinities and electrical characteristics. When Ge is diffused and heat-treated, it self-assembles in SiO_2 finally changes to nano-size crystals. The size of Ge nanocrystal obtained in this study was estimated in the range of 3 to 5nm from the result of Raman spectroscopy measurement. Blue light emission from the growth of Ge nanocrystals was observed at room temperature from the result of photoluminescence(PL)measurement. Moreover, the flat-band voltage of C-V characteristics certainly changed by the electron-injection to SiO_2/Ge/SiO_2 quantum well. |
| キーワード(和) | ナノクリスタルメモリ / SiO_2膜 / Ge微結晶 / 青色発光 |
| キーワード(英) | nanocrystal memory / SiO_2 film / Ge nanocrystal / blue light emission |
| 資料番号 | CPM2001-144 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/7/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン酸化膜中のゲルマニウム微結晶における光学および電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optical and electrical characteristics of Ge nanocrystals in SiO_2 film |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノクリスタルメモリ / nanocrystal memory |
| キーワード(2)（和/英） | SiO_2膜 / SiO_2 film |
| キーワード(3)（和/英） | Ge微結晶 / Ge nanocrystal |
| キーワード(4)（和/英） | 青色発光 / blue light emission |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松永 慎一 / Shin-ichi MATSUNAGA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福田 永 / Hisashi FUKUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野村 滋 / Shigeru NOMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西野 元一 / Motokazu NISHINO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道職業能力開発大学校 Hokkaido Polytechnic College |
| 発表年月日 | 2001/7/26 |
| 資料番号 | CPM2001-144 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 244 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |