| 講演名 | 2001/7/26 有機金属分解による酸化チタン薄膜の構造と電気的特性 前田 真一, 福田 永, 野村 滋, |
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| 抄録(和) | 次世代ULSIの微細MOSFETに用いるゲート絶縁膜として、高誘電体薄膜が注目されている。酸化チタン(TiO_2)は他の高誘電体材料と比べて誘電率が特に高く、将来有望な高誘電ゲート絶縁膜のひとつである。本研究は、有機金属分解(MOD)により酸化チタン薄膜をシリコン上に形成し、その結晶性と電気的特性について調べた。600℃の熱処理で得られたTiO_2薄膜はアナターゼ構造とルチル構造の混在状態で結晶化しており、700℃以上の熱処理で得られたTiO_2薄膜はルチル構造のみとなった。700℃で熱処理したとき、誘電率は最大で50であった。また、TiO_2薄膜の表面構造の変化による誘電率の減少を確認した。 |
| 抄録(英) | High-k dielectric thin films have attained considerable attention as possible replacements for dielectric insulators of sub-0.1μm MOSFET in future ULSIs.Bulk TiO_2 has higher dielectric constant as compared to another high-k dielectric materials. Thus, TiO_2 is one of the expected high-k dielectric materials. In this study, we formed TiO_2 thin film on a Si substrate by metalorganic decomposition(MOD). And, the crystal structure and the electrical properties of the film were investigated. TiO_2 thin film crystallized in the anatase structure and the rutile structure after annealing at 600℃. The TiO_2 thin film becomes to the rutile structure after annealing above 700℃. The dielectric constant of 50 in maximum was obtained for the sample annealed at 700℃. In addition, we confirmed that the dielectric constant decreases corresponding to the change of TiO_2 thin film surface structure. |
| キーワード(和) | TiO_2 / MOSFET / 高誘電体 / 有機金属分解 |
| キーワード(英) | TiO_2 / MOSFET / High-k dielectric / metalorganic decomposition |
| 資料番号 | CPM2001-40 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/7/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機金属分解による酸化チタン薄膜の構造と電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical properties and structure of titanium oxide thin films formed by metalorganic decomposition. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TiO_2 / TiO_2 |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 高誘電体 / High-k dielectric |
| キーワード(4)（和/英） | 有機金属分解 / metalorganic decomposition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前田 真一 / Shinichi MAEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福田 永 / Hisashi FUKUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野村 滋 / Shigeru NOMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/7/26 |
| 資料番号 | CPM2001-40 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 244 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |