| 講演名 | 2001/5/18 シリコン量子井戸構造の作製と評価 石原 大阿, 岩崎 正憲, 土屋 敏章, 石川 靖彦, 田部 道晴, |
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| 抄録(和) | 約2nmの極薄埋め込みSiO_2を持つ自作貼り合わせSOIウエハを用いて、数nmの厚さの単結晶SiとSiO_2からなる二重障壁構造を作製し、そのI-V特性を評価した。Si井戸層が約5nmの試料では、I-V特性に特徴的な変化は見られず、電流は単調に増加した。これに対し, Si井戸層が約2nmの試料では、階段状の電流変化が見られ、さらに負性微分抵抗も観測された。この特性は共鳴トンネル効果によるものと考えられる。 |
| 抄録(英) | Ultrathin Si/SiO_2 double barrier structures were fabricated using a silicon-on-insulator (SOI) wafer with an ultrathin thermally-grown buried SiO_2 layer, which was fabricated in our laboratory by a wafer bonding technique. I-V measurements for a sample with -5nm-thick Si showed monotonous increase of the current with increasing the applied voltage, while, for a sample with ～2nm-thick Si, several inflections were observed in the I-V curves. A negative differential resistance was also observed, suggesting the resonant tunneling of electrons through the ultrathin Si layer. |
| キーワード(和) | Si / SiO_2 / SOI / 二重障壁構造 / 角性微分抵抗 / 共鳴トンネル効果 |
| キーワード(英) | Si / SiO_2 / SOI / double barrier structure / negative differential resistance / resonant tunneling |
| 資料番号 | ED2001-43,CPM2001-30,SDM2001-43 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/5/18(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン量子井戸構造の作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and characterization of Si quantum well structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | SiO_2 / SiO_2 |
| キーワード(3)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(4)（和/英） | 二重障壁構造 / double barrier structure |
| キーワード(5)（和/英） | 角性微分抵抗 / negative differential resistance |
| キーワード(6)（和/英） | 共鳴トンネル効果 / resonant tunneling |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石原 大阿 / Takuma Ishihara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岩崎 正憲 / Masanori Iwasaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 土屋 敏章 / Toshiaki Tsuchiya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 島根大学総合理工学部電子制御システム工学科 Shimane University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田部 道晴 / Michiharu Tabe |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2001/5/18 |
| 資料番号 | ED2001-43,CPM2001-30,SDM2001-43 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 81 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |