| 講演名 | 2001/5/18 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性 堀口 誠二, 永瀬 雅夫, 白石 賢二, 影島 博之, 高橋 庸夫, |
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| 抄録(和) | 酸化誘起歪みに伴うバンド構造変化と素子構造変調に伴う量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構 (SET内細線部において構造が縮小されているために生ずるトンネル障壁内にSi島に対応するポテンシャルが酸化誘起歪みによるバンドギャップ低下に伴い形成されSET動作が可能なポテンシャルプロファイルになるという機構)の伝導方向依存性を, 第一原理計算と変形ポテンシャル法を併用し実効ポテンシャルを用いて考察した。既に報告した[110]方向だけでなく(001)面上の任意の方向でこの機構によるSET動作が生じ得ることを示す。 |
| 抄録(英) | We have investigated the conduction-direction dependence of the mechanism for Si SET with the oxidation-induced strain and the quantum-mechanical size effect, using the first-principles calculation, the deformation potential and the effective potential method. In this mechanism, the reduction of geometric structure in a wire region produces a tunnel barrier through the quantum-mechanical size effect, while the compressive stress generated during oxidation in the wire region forms a potential well corresponding to an island in the tunnel barrier through the bandgap reduction due to strain. It has been shown that the SET can operate with the same mechanism in the arbitrary conduction direction in the (001) plane as well as [110] direction previously reported. |
| キーワード(和) | Si単電子トランジスタ / パターン依存酸化 / 歪みの効果 / 動作機構 / 伝導方向依存性 |
| キーワード(英) | Si SET / PADOX / strain effect / operation mechanism / conduction-direction dependence |
| 資料番号 | ED2001-42,CPM2001-29,SDM2001-42 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/5/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dependence of Mechanism for Si SET with Oxidation-Induced Strain and Quantum-Mechanical Size Effect on Conduction Direction |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si単電子トランジスタ / Si SET |
| キーワード(2)（和/英） | パターン依存酸化 / PADOX |
| キーワード(3)（和/英） | 歪みの効果 / strain effect |
| キーワード(4)（和/英） | 動作機構 / operation mechanism |
| キーワード(5)（和/英） | 伝導方向依存性 / conduction-direction dependence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 堀口 誠二 / Seiji Horiguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 永瀬 雅夫 / Masao Nagase |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 白石 賢二 / Kenji Shiraishi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所:(現)筑波大学物理学系 NTT Basic Research Laboratories:(Present address) Institute of Physics, University of Tsukuba |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 影島 博之 / Hiroyuki Kageshima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 庸夫 / Yasuo Takahashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 発表年月日 | 2001/5/18 |
| 資料番号 | ED2001-42,CPM2001-29,SDM2001-42 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 81 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |