講演名 | 2001/5/18 Si_<1-x>Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_<1-x>Ge_x/ヘテロ構造品質との対応 土屋 敏章, 松浦 孝, 室田 淳一, |
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抄録(和) | Si_<1-x>Ge_xチャネルpMOSFETの低周波雑音特性を, これまでに無い広い範囲の Ge比率 (0.2, 0.5, 0.7) とSi_<1-x>Ge_x膜厚 (2-14nm) について検討した. この結果, Si_<1-x>Ge_xチャネルpMOSFETは, 通常のSi pMOSFETより低周波雑音を低減できることを明らかにした. また, 特定のバイアス条件下における雑音電力により, Si_<1-x>Ge_x/Siヘテロ構造品質を評価できることを示し, この雑音電力とMOSFETの最大相互コンダクタンスがよく対応さすることを示した. |
抄録(英) | Low frequency noise (LFN) in Si_<1-x>Ge_x-channel pMOSFETs with a relatively wide range of Ge fraction x=0.2, 0.5, 0.7, and Si_<1-x>Ge_x thickness d_ |
キーワード(和) | SiGe / MOSFET / SiGe/Siへテロ構造 / 低周波雑音 |
キーワード(英) | SiGe / MOSFET / SiGe/Si heterostructure / low frequency noise |
資料番号 | ED2001-41,CPM2001-28,SDM2001-41 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2001/5/18(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | Si_<1-x>Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_<1-x>Ge_x/ヘテロ構造品質との対応 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Low frequency noise in Si_<1-x>Ge_x-channel pMOSFETs and its correlation with Si_<1-x>Ge_x/Si heterostructure quality |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | SiGe / SiGe |
キーワード(2)(和/英) | MOSFET / MOSFET |
キーワード(3)(和/英) | SiGe/Siへテロ構造 / SiGe/Si heterostructure |
キーワード(4)(和/英) | 低周波雑音 / low frequency noise |
第 1 著者 氏名(和/英) | 土屋 敏章 / T. Tsuchiya |
第 1 著者 所属(和/英) | 島根大学総合理工学部 Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 松浦 孝 / T. Matsuura |
第 2 著者 所属(和/英) | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 室田 淳一 / J. Murota |
第 3 著者 所属(和/英) | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
発表年月日 | 2001/5/18 |
資料番号 | ED2001-41,CPM2001-28,SDM2001-41 |
巻番号(vol) | vol.101 |
号番号(no) | 81 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |