| 講演名 | 2001/5/18 電荷転送技術を用いた高感度化学ポテンシャルセンサデバイス 澤田 和明, 高尾 英邦, 石田 誠, |
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| 抄録(和) | 近年, 半導体微細加工技術を用いて様々な生体化学情報を得るためのセンサチップの開発が行われている. 集積回路技術を用いた化学センサとして, FET型のセンサが, 様々な分野への応用を目指して広く研究されてきたFET型センサの問題点は, その感度の低さがあげられる. この感度の低さは, 理論的に上限が定まっており改善は困難と考えられてきた. 私たちは, この理論的な感度の上限をCCD (電荷転送) 技術を用いて, 打破することができることができる新しいセンサAMPSを提案し, 試作を行ったこのデバイスの信号対雑音比は従来のものに比べ格段に改善が可能である. また, この提案デバイスを実際に試作し, センサの出力は1.7V/pHと, 従来のISFETのものに比べ34倍に向上できることがわかった. |
| 抄録(英) | AMIS (Accumulation Method Ion Sensor), which is expected as high sensitive ion sensor, is proposed and prototype one is fabricated using a CCD process. The principle of the AMIS is based on the charge transfer techniques. The AMIS is operated in a signal integration mode. Charges corresponded to pH value is transferred from a sensing part to the floating diffusion region on several times, and the signal charges are accumulated in the floating diffusion region. It is expected that the SNR of the pH information increases √n times, as the signal is integrated n times. The output signal of a sensing part was measured by using the equivalent voltages. It was found that the output signal from AMPS, which was integrated 5 times, was lineally changed and the total sensitivity was 1.7V/pH. |
| キーワード(和) | イオンセンサ / ISFBT / 電荷転送 / 化学ポテンシャル / CCD |
| キーワード(英) | ISFET / Charge Transfer / Ion sensor / pH sensor / CCD |
| 資料番号 | ED2001-39,CPM2001-26,SDM2001-39 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/5/18(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電荷転送技術を用いた高感度化学ポテンシャルセンサデバイス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and Proposition of High Sensitive Chemical Potential Sensor Used Charge Transfer Technique |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオンセンサ / ISFET |
| キーワード(2)（和/英） | ISFBT / Charge Transfer |
| キーワード(3)（和/英） | 電荷転送 / Ion sensor |
| キーワード(4)（和/英） | 化学ポテンシャル / pH sensor |
| キーワード(5)（和/英） | CCD / CCD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 澤田 和明 / Kazuaki Sawada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高尾 英邦 / Hidekuni Takao |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石田 誠 / Makoto Ishida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2001/5/18 |
| 資料番号 | ED2001-39,CPM2001-26,SDM2001-39 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 81 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |