| 講演名 | 2001/5/18 シリコン紬線MOS構造における素電荷の検出と転送 藤原 聡, 高橋 庸夫, |
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| 抄録(和) | シリコン細線をチャネルとしたMOS構造において、単正孔の保持と検出及びその転送を温度25Kで実現し、シリコンにおける初めての素電荷操作に成功した。作製した構造は、SOI基板上の近接した2個のシリコン細線MOSFBTから構成される、いわば超小型の電荷結合素子(CCD)であり、両チャネル間の単正孔の転送が可能となる。単正孔の存在の保持と検出には、シリコン紬線に印加した基板垂直方向の電界により、保持正孔とそれを検出する電子電流を空間的に分離し、それぞれを上下のSi/SIO_2界面に局在させるという、 新しい電子正孔共存系を利用した。 |
| 抄録(英) | Detection and transfer of single holes are demonstrated in Si-wire MOS structures at 25K. This is the first realization of a silicon-based device that manipulates elementary charge. The device consists of two closely packed n-channel Si-wire MOSFETs, which is in effect an ultrasmall charge-coupled device. We develope a new method of storing holes and sensing them on the elementary-charge level. It utilizes a new electron-hole system in the Si wire; stored holes and electrons that sense them are separated and locate at different Si/SiO_2 interface due to applied electric field. |
| キーワード(和) | シリコン細線 / SOI / MOSFET / 電荷結合素子 / 単電子 / 単正孔 / 電荷転送 |
| キーワード(英) | Si wire / SOI / MOSFET / CCD / single electron / single hole / charge transfer |
| 資料番号 | ED2001-38,CPM2001-25,SDM2001-38 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/5/18(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン紬線MOS構造における素電荷の検出と転送 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Detection and transfer of elementary charge in Si-wire MOS structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン細線 / Si wire |
| キーワード(2)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | 電荷結合素子 / CCD |
| キーワード(5)（和/英） | 単電子 / single electron |
| キーワード(6)（和/英） | 単正孔 / single hole |
| キーワード(7)（和/英） | 電荷転送 / charge transfer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤原 聡 / A. Fujiwara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 庸夫 / Y. Takahashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 発表年月日 | 2001/5/18 |
| 資料番号 | ED2001-38,CPM2001-25,SDM2001-38 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 81 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |