講演名 2001/5/18
リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
飯田 大介, 浅井 寛, 内田 秀雄, 市村 正也, 荒井 英輔,
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抄録(和) 不純物拡散シミュレータ (TSUPREM-4) を用いて、850℃及び960℃の実験で得られたリンとボロンにおけるバルクSi基板中のプリデポジション拡散分布への合わせ込みを行った。シミュレータのパラメータがデフォルト値では, 実験値との間に大きなずれが生じた。そのため、リンとポロンそれぞれについて格子間Si機構で拡散する割合fiと格子間Siと不純物との対の拡散係数に注目し、そのパラメータを変化させることによってどの程度実験値に近づけられるか検討した。また、変化後のパラメータを使用してドライブイン拡散及び貼り合わせSOI基板に対しても同様のシミュレーションを行い、それらのパラメータの妥当性を評価した。
抄録(英) We carried out parameter fitting to measured phosphorus and boron predeposition profiles in bulk silicon, using process simulation (TSUPREM-4). When diffusion parameters are default coefficients, we found deviation of simulated results from measured profiles. For improvement of the simulated results, we changed the simulation parameter of f_(fractional interstitial component) and diffusivity of interstitial Si and impurity pairs. By using changed parameters, we also carried out simulation for drive-in diffusion and SOI substrate and examined its appropriateness.
キーワード(和) 拡散シミュレーション / リン / ボロン / 格子間Si / SOI基板
キーワード(英) Diffusion simulation / Phosphorus / Boron / Interstitial silicon / SOI
資料番号 ED2001-37,CPM2001-24,SDM2001-37
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2001/5/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
サブタイトル(和)
タイトル(英) Optimization of Simulation Parameters for Phosphorus and Boron Diffusion
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 拡散シミュレーション / Diffusion simulation
キーワード(2)(和/英) リン / Phosphorus
キーワード(3)(和/英) ボロン / Boron
キーワード(4)(和/英) 格子間Si / Interstitial silicon
キーワード(5)(和/英) SOI基板 / SOI
第 1 著者 氏名(和/英) 飯田 大介 / Daisuke Iida
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学電気情報工学料
Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 浅井 寛 / Hiroshi Asai
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学電気情報工学料
Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 内田 秀雄 / Hideo Uchida
第 3 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学電気情報工学料
Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 市村 正也 / Masaya Ichimura
第 4 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学電気情報工学料
Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 荒井 英輔 / Eisuke Arai
第 5 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学電気情報工学料
Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology
発表年月日 2001/5/18
資料番号 ED2001-37,CPM2001-24,SDM2001-37
巻番号(vol) vol.101
号番号(no) 81
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日