| 講演名 | 2001/5/18 大気圧プラズマ洗浄装置のICダメージ評価 高倉 信之, 毛野 拓治, 安田 正治, 澤田 康志, 井上 吉民, 谷口 研二, |
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| 抄録(和) | 大気圧プラズマ洗浄装置について、CMOS-ICのプラズマダメージを評価した。評価は、ゲート酸化膜厚を3nm～100nmまで変えたMOS Trから構成されるTEGに大気圧プラズマを照射し、照射前後におけるMOS Trの特性変動を調べることにより実施した。その結果、ダメージの膜厚依存性、アンテナ比依存性について知見が得られたので、その報告を行う。 |
| 抄録(英) | Plasma induced damage on CMOS-ICs using atmospheric plasma cleaning equipment was investigated, which was carried out by using MOS Tr TEG (Test Element Group) with gate oxide thickness 3nm - 100nm. MOS Tr characteristics such as threshold voltage, subthreshold swing, breakdown voltage, Qbd life time have been measured. The measured data for the irradiated and non-irradiated samples clearly demonstrated that the plasma induced damage depends on gate oxide thickness and anntena ratio as well. We report the degradation mechanism behind the experimental data. |
| キーワード(和) | 大気圧プラズマ洗浄装置 / ダメージ / MOS Tr TEG / ゲート酸化膜厚 / アンテナ比 |
| キーワード(英) | atmospheric plasma cleaning equipment / damage / TEG, oxide thickness / anntena ratio |
| 資料番号 | ED2001-36,CPM2001-23,SDM2001-36 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/5/18(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 大気圧プラズマ洗浄装置のICダメージ評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of Plasma induced damage on CMOS-ICs using atmospheric plasma cleaningequipment |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 大気圧プラズマ洗浄装置 / atmospheric plasma cleaning equipment |
| キーワード(2)（和/英） | ダメージ / damage |
| キーワード(3)（和/英） | MOS Tr TEG / TEG, oxide thickness |
| キーワード(4)（和/英） | ゲート酸化膜厚 / anntena ratio |
| キーワード(5)（和/英） | アンテナ比 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高倉 信之 / Nobuyuki Takakura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電工(株)半導体応用技術研究所 Semicondcter Technology Reserch Laboratory, Matsushita Electric Works Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 毛野 拓治 / Takuji Keno |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電工(株)半導体応用技術研究所 Semicondcter Technology Reserch Laboratory, Matsushita Electric Works Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安田 正治 / Masaharu Yasuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電工(株)半導体応用技術研究所 Semicondcter Technology Reserch Laboratory, Matsushita Electric Works Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 澤田 康志 / Yasushi Sawada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電工(株)制御技術開発研究所 Automation Controls Technology Development Laboratory, Matsushita Electric Works Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 井上 吉民 / Yoshitami Inoue |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電工M&V(株) Matsushita Electric Works Machine & Vision Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 谷口 研二 / Kenji Taniguchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学工学都電子情報エネルギー工学 Department of Electronics and information systems, Osaka university |
| 発表年月日 | 2001/5/18 |
| 資料番号 | ED2001-36,CPM2001-23,SDM2001-36 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 81 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |