| 講演名 | 2001/5/18 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討 冨田 陵一, 鶴丸 厚, 川内 康弘, 池野 孝宏, 内田 秀雄, 市村 正也, 荒井 英輔, |
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| 抄録(和) | 非クリーン環境下にある大学の実験設備を用いて、MOSトランジスタを作製した。作製にはトランジスタをMOSゲート部、PN接合部、コンタクト部の要素ごとに解析できるよう TEG(Test Element Group)を用いた。層間絶縁膜として用いた有機スピンオンガラス (有機SOG)とレジストの接着力を、スコッチテープテストを用いて定量的に評価し、コンタクト孔形成条件を確立した。形成したコンタクト孔の接触抵抗を四端針法を用いて評価し、コンタクト抵抗低減化を検討した。ソース・ドレインの州接合を評価して、リーク電流を調べ、またゲート部分をMOSダイオードとして評価してゲート酸化膜の欠陥密度を求め、どの程度の規模のnMOS集積回路まで作製可能かを検討した。 |
| 抄録(英) | MOS transistors were fabricated under the environment without clean room. TEG(Test Element Group) was used to analyze each part of transistor, i.e., MOS gate, PNjunction and contacts. We used scotch-tape-test to evaluate. adhesion between resist and organic-spin-on-glass used as intermediate layer and established contact-hole formation process. We evaluated contact resistivity and examined reduction methods of contact resitivity. After evaluating defect densities of PNjunctions of source and drain, contacts and MOS diodes, we estimated the scale of integration of nMOS IC which can be made in the environment. |
| キーワード(和) | TEG / スピンオンガラス / 接着力 / コンタクト抵抗 / 欠陥密度 |
| キーワード(英) | TEG / spin-on-glass / adhesion / contact resistivity / defect density |
| 資料番号 | ED2001-35,CPM2001-22,SDM2001-35 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/5/18(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of MOS process under the environment without clean room by utilizing TEG |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TEG / TEG |
| キーワード(2)（和/英） | スピンオンガラス / spin-on-glass |
| キーワード(3)（和/英） | 接着力 / adhesion |
| キーワード(4)（和/英） | コンタクト抵抗 / contact resistivity |
| キーワード(5)（和/英） | 欠陥密度 / defect density |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 冨田 陵一 / Ryouichi Tomida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鶴丸 厚 / Atsushi Tsurumaru |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 川内 康弘 / Yasuhiro Kawauti |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 池野 孝宏 / Takahiro Ikeno |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 内田 秀雄 / Hideo Uchida |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / Eisuke Arai |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/5/18 |
| 資料番号 | ED2001-35,CPM2001-22,SDM2001-35 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 81 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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