講演名 | 2001/5/18 バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_<1-x-y>Ge_XC_y膜のエッチング特性 石田 彰一, 宮本 光雄, 橋場 祥晶, 松浦 孝, 室田 淳一, |
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抄録(和) | BHF(NH_4F/HF/H_2O)によって処理されたSi_<1-x-y>Ge_xC_yエピタキシャル膜のエッチング特性を調べた。また角度分解XPSにより表面分析を行った。Si(X=0,Y=0)膜はアルカリ領域BHFで良くエッチングされ、Ge(X=1,Y=0)膜はNH_4Fの含まれるBHF組成であって酸性領域BHFで良くエッチングされた。さらにSi_<1-x-y>Ge_xC_y膜はアルカリ領域BHF(HF=0.01wt%, NH_4F=40wt%)でエッチングされ、Si_<1-x-y>Ge_xC_y(x=0.16-0.413)はSi_<1-x-y>Ge_xよりエッチング速度が遅いことがわかった。XPS強度比の光電子脱出角依存性から、処理BHFのpHが高いほどSi_<0.6>Ge_<0.4>表面に1原子層程度のGeが偏析することがわかった。これはBHP中でのSi、とGeのエッチング特性が異なるためと推測される。 |
抄録(英) | The etching characteristics of the Si_<1-x-y>Ge_xC_y epitaxial films in BHF (NH_4F/HF/H_2O) have been studied by a step profiler and an angle resolved XPS. The Si film (x=0,y=0) is etched by the alkaline range BHF. The Ge epitaxial film (x=1,y=0) is etched only in BHF with NH_4F. The Si_<1-x-y>Ge_xC_y films (X=0.16-0.413) were etched in the alkaline range BHF (HF=0.01wt%, NH_4F=40wt%). The etching rates of the Si_<1-x-y>Ge_xC_y films in the alkaline range BHF are less than those of the Si_<1-x-y>Ge_x film. The XPS intensity ratio as a function of the take-off-angle shows that the surface segregation of Ge is in the monolayer order on the Si_<0.6>Ge_<0.4> surface and increases with pH. It is suggested that the surface segregation of Ge on the Si_<0.6>Ge_<0.4> film surface occur by difference of the etching characteristics of the Si and Ge in BHF. |
キーワード(和) | BHE / エッチング / SiGeC / エピタキシャル / XPS / 偏析 |
キーワード(英) | BHF / Etching / SiGeC / Epitaxial / XPS / Segregation |
資料番号 | ED2001-34,CPM2001-21,SDM2001-34 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2001/5/18(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_<1-x-y>Ge_XC_y膜のエッチング特性 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Buffered HF Etching Characteristics of Si_<1-x-y>Ge_xC_y Epitaxial Films |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | BHE / BHF |
キーワード(2)(和/英) | エッチング / Etching |
キーワード(3)(和/英) | SiGeC / SiGeC |
キーワード(4)(和/英) | エピタキシャル / Epitaxial |
キーワード(5)(和/英) | XPS / XPS |
キーワード(6)(和/英) | 偏析 / Segregation |
第 1 著者 氏名(和/英) | 石田 彰一 / Shoichi Ishida |
第 1 著者 所属(和/英) | 森田化学工業株式会社:東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設 Morita Chemical Industries Co., Ltd.:Laboratory for Electronic Intelligent Systems, RIEC, Tohoku University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 宮本 光雄 / Mitsuo Miyamoto |
第 2 著者 所属(和/英) | 森田化学工業株式会社 Morita Chemical Industries Co., Ltd. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 橋場 祥晶 / Yoshiaki Hashiba |
第 3 著者 所属(和/英) | 東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設:日立国際電気 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, RIEC, Tohoku University:Hitachi Kokusai Electric |
第 4 著者 氏名(和/英) | 松浦 孝 / Takashi Matsuura |
第 4 著者 所属(和/英) | 東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, RIEC, Tohoku University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 室田 淳一 / Junichi Murota |
第 5 著者 所属(和/英) | 東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, RIEC, Tohoku University |
発表年月日 | 2001/5/18 |
資料番号 | ED2001-34,CPM2001-21,SDM2001-34 |
巻番号(vol) | vol.101 |
号番号(no) | 81 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |