講演名 2001/5/18
バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_<1-x-y>Ge_XC_y膜のエッチング特性
石田 彰一, 宮本 光雄, 橋場 祥晶, 松浦 孝, 室田 淳一,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) BHF(NH_4F/HF/H_2O)によって処理されたSi_<1-x-y>Ge_xC_yエピタキシャル膜のエッチング特性を調べた。また角度分解XPSにより表面分析を行った。Si(X=0,Y=0)膜はアルカリ領域BHFで良くエッチングされ、Ge(X=1,Y=0)膜はNH_4Fの含まれるBHF組成であって酸性領域BHFで良くエッチングされた。さらにSi_<1-x-y>Ge_xC_y膜はアルカリ領域BHF(HF=0.01wt%, NH_4F=40wt%)でエッチングされ、Si_<1-x-y>Ge_xC_y(x=0.16-0.413)はSi_<1-x-y>Ge_xよりエッチング速度が遅いことがわかった。XPS強度比の光電子脱出角依存性から、処理BHFのpHが高いほどSi_<0.6>Ge_<0.4>表面に1原子層程度のGeが偏析することがわかった。これはBHP中でのSi、とGeのエッチング特性が異なるためと推測される。
抄録(英) The etching characteristics of the Si_<1-x-y>Ge_xC_y epitaxial films in BHF (NH_4F/HF/H_2O) have been studied by a step profiler and an angle resolved XPS. The Si film (x=0,y=0) is etched by the alkaline range BHF. The Ge epitaxial film (x=1,y=0) is etched only in BHF with NH_4F. The Si_<1-x-y>Ge_xC_y films (X=0.16-0.413) were etched in the alkaline range BHF (HF=0.01wt%, NH_4F=40wt%). The etching rates of the Si_<1-x-y>Ge_xC_y films in the alkaline range BHF are less than those of the Si_<1-x-y>Ge_x film. The XPS intensity ratio as a function of the take-off-angle shows that the surface segregation of Ge is in the monolayer order on the Si_<0.6>Ge_<0.4> surface and increases with pH. It is suggested that the surface segregation of Ge on the Si_<0.6>Ge_<0.4> film surface occur by difference of the etching characteristics of the Si and Ge in BHF.
キーワード(和) BHE / エッチング / SiGeC / エピタキシャル / XPS / 偏析
キーワード(英) BHF / Etching / SiGeC / Epitaxial / XPS / Segregation
資料番号 ED2001-34,CPM2001-21,SDM2001-34
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2001/5/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_<1-x-y>Ge_XC_y膜のエッチング特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Buffered HF Etching Characteristics of Si_<1-x-y>Ge_xC_y Epitaxial Films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) BHE / BHF
キーワード(2)(和/英) エッチング / Etching
キーワード(3)(和/英) SiGeC / SiGeC
キーワード(4)(和/英) エピタキシャル / Epitaxial
キーワード(5)(和/英) XPS / XPS
キーワード(6)(和/英) 偏析 / Segregation
第 1 著者 氏名(和/英) 石田 彰一 / Shoichi Ishida
第 1 著者 所属(和/英) 森田化学工業株式会社:東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
Morita Chemical Industries Co., Ltd.:Laboratory for Electronic Intelligent Systems, RIEC, Tohoku University
第 2 著者 氏名(和/英) 宮本 光雄 / Mitsuo Miyamoto
第 2 著者 所属(和/英) 森田化学工業株式会社
Morita Chemical Industries Co., Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 橋場 祥晶 / Yoshiaki Hashiba
第 3 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設:日立国際電気
Laboratory for Electronic Intelligent Systems, RIEC, Tohoku University:Hitachi Kokusai Electric
第 4 著者 氏名(和/英) 松浦 孝 / Takashi Matsuura
第 4 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
Laboratory for Electronic Intelligent Systems, RIEC, Tohoku University
第 5 著者 氏名(和/英) 室田 淳一 / Junichi Murota
第 5 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
Laboratory for Electronic Intelligent Systems, RIEC, Tohoku University
発表年月日 2001/5/18
資料番号 ED2001-34,CPM2001-21,SDM2001-34
巻番号(vol) vol.101
号番号(no) 81
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日