講演名 | 2001/5/18 C分子線源にアークプラズマガンを用いたGeC混晶のMBE成長 沖仲 元毅, 段床 亮一, 浜名 康全, 徳田 崇, 太田 淳, 布下 正宏, |
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抄録(和) | 新しいC分子線源としてアークプラズマガンを分子線エピタキシー (MBE) に導入し、C分子線の特性とGe基板上に成長したGeCエピタキシャル膜の結晶性評価を行った。分子線の評価より、デバイス特性に悪影響を与える粒径がμm程度のマクロパーティクルは1mm^2に0~1個以下であった。また、SiならびにGe基板上のC膜では界面付近でSi-C、Ge-C結合が優先的に生じており、アークプラズマガンがGeC泥晶成長のC分子線源として有効である事を確認した。Ge基板上のGeC成長においては、供給したC原子がほぼすべて混晶内に取り込まれ、アークプラズマガンの利用により、高いC組成をもつGeC混晶成長が可能である事を示した。 |
抄録(英) | An arc plasma gun was applied for a new C source in molecular beam epitaxiy (MBE). Basic properties of this C source have been characterized and GeC epilayers on Ge substrates were grown. C layers deposited by the arc plasma gun have few micro-particles which deteriorate device performance. The growth modes of the GeC epilayers were dependent on the C fraction. It is confirmed that most of the supplied C atoms are incorporated in the GeC alloys. Therefore the arc plasma gun is a promising C source for the MBE growth of GeC alloys. |
キーワード(和) | アークプラズマガン / GeC / マクロパーティクル / Cクラスター / 3次元成長 / C偏祈 |
キーワード(英) | Arc plasma gun / GeC / micro-particle / C cluster / 3D growth / C segregation |
資料番号 | ED2001-33,CPM2001-20,SDM2001-33 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2001/5/18(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | C分子線源にアークプラズマガンを用いたGeC混晶のMBE成長 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | MBE growth of GeC using are plasma gun for a C molecular beam |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | アークプラズマガン / Arc plasma gun |
キーワード(2)(和/英) | GeC / GeC |
キーワード(3)(和/英) | マクロパーティクル / micro-particle |
キーワード(4)(和/英) | Cクラスター / C cluster |
キーワード(5)(和/英) | 3次元成長 / 3D growth |
キーワード(6)(和/英) | C偏祈 / C segregation |
第 1 著者 氏名(和/英) | 沖仲 元毅 / Motoki Okinaka |
第 1 著者 所属(和/英) | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 段床 亮一 / Ryoichi Dansho |
第 2 著者 所属(和/英) | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科:(現)ソニー(株) Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology:(present address)SONY corp. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 浜名 康全 / Yasumasa Hamana |
第 3 著者 所属(和/英) | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 徳田 崇 / Takashi Tokuda |
第 4 著者 所属(和/英) | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
第 5 著者 氏名(和/英) | 太田 淳 / Jun Ohta |
第 5 著者 所属(和/英) | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
第 6 著者 氏名(和/英) | 布下 正宏 / Masahiro Nunoshita |
第 6 著者 所属(和/英) | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
発表年月日 | 2001/5/18 |
資料番号 | ED2001-33,CPM2001-20,SDM2001-33 |
巻番号(vol) | vol.101 |
号番号(no) | 81 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |