| 講演名 | 2001/5/18 陽極酸化法による6H-SiCの犠牲酸化とショットキーダイオード特性 加藤 正史, 市村 正也, 荒井 英輔, |
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| 抄録(和) | n型6H-Sicのバルク結晶に対し、陽極酸化法により酸化膜の形成を試みた。電解液としてエチレングリコール、水、硝酸カリウムの混合液を用い6H-SiCを陽極として、定電流源により電圧を印加したところ、6H-SiC上に酸化膜の形成が確認された。酸化膜は純粋なSiO_2ではなく炭素等の不純物を含むが、フッ酸によりエッチングできた。陽極酸化膜の形成速度は熱酸化法によるものよりはるかに速いことがわかった。その陽極酸化を犠牲酸化法として用い、酸化膜をエッチングした後にショットキー電極を形成して犠牲酸化の効果を検証した。その結果、ショットキー電極特性に関しては熱犠牲酸化とほぼ司じ結果が得られた。 |
| 抄録(英) | We attemped to form oxide films on n-type 6H-SiC by an anodic oxidation method. As electrolyte, mixed solution of ethylene-glycol water and KNO_3 was employed. Anodic oxide was formed on 6H-SiC by appling voltage to 6H-SiC. The oxide was not pure SiO_2 but it was etched by HF. Formation rate of the anodic oxide was much higher than typical thermal oxidation rate for 6H-SiC. Schottky contacts were formed on the oxide-etched surface. Then we investigated influence of sacrificial anodic oxidation on Schottky contacts and we found influence similar to that of the sacrificail thermal oxidation. |
| キーワード(和) | 6H-SiC / 陽極酸化 / 犠牲酸化 / ショットキー電極 |
| キーワード(英) | 6H-SiC / anodic oxidation / sacrificial oxidation / Schottky contact |
| 資料番号 | ED2001-32,CPM2001-19,SDM2001-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/5/18(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 陽極酸化法による6H-SiCの犠牲酸化とショットキーダイオード特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influence on Schottky contacts of sacrificial anodic oxidation for 6H-SiC |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 6H-SiC / 6H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 陽極酸化 / anodic oxidation |
| キーワード(3)（和/英） | 犠牲酸化 / sacrificial oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキー電極 / Schottky contact |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi Kato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / Eisuke Arai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/5/18 |
| 資料番号 | ED2001-32,CPM2001-19,SDM2001-32 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 81 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |