| 講演名 | 2001/5/18 シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価 松本 鋭介, 内田 美, 岡田 浩, 若原 昭浩, 吉田 明, |
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| 抄録(和) | 本実験ではシンクロトロン放射光 (SR) を用いて Si基板上にテフロン薄膜を作製し、結晶性、表面状態、結合状態について評価した。X線回折法 (XRD) の結果より、SR光によって作製したテフロン薄膜は、非常に結晶性のよいものが得られることがわかった。成膜速度はターゲット温度、ビーム電流の増加に比例し、最大で1000Å/sとかなりの速度で堆積することがわかった。表面状態はターゲット温度に大きく依存し、温度を上げると表面粗さが増す傾向があった。成膜中の雰囲気ガスの分析を行った。以上の結果から、高いphoton flux強度を用いることにより高品質なテフロン薄膜を作製できることが考えられる。 |
| 抄録(英) | In this study, polytetrafluoroethylene (PTFE) films were deposited on Si substrate using synchrotron radiation (SR). According to the X-ray diffraction (XRD) result, deposited film have a good crystallinity. Deposition rate was proportional to beam current and target temperature. The highest deposition rate is about 1000Å/S. With increased target temperature, rough surface was observed by atomic force microscope (AFM). In situ mass spectrometric analysis of gaseous species was made. These results suggest that formation of high quality PTFE films can be achieved with high density SR photon flux irradiation. |
| キーワード(和) | テフロン / シンクロトロン放射光 / 結晶性 / 表面状態 |
| キーワード(英) | Teflon / synchrotron radiation / crystallinity / surface morphology |
| 資料番号 | ED2001-31,CPM2001-18,SDM2001-31 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/5/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation and caracterization of polytetrafluoroethylene films deposited by synchrotron radiation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | テフロン / Teflon |
| キーワード(2)（和/英） | シンクロトロン放射光 / synchrotron radiation |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶性 / crystallinity |
| キーワード(4)（和/英） | 表面状態 / surface morphology |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松本 鋭介 / Eisuke Matsumoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 内田 美 / Minoru Uchida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吉田 明 / Akira Yoshida |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2001/5/18 |
| 資料番号 | ED2001-31,CPM2001-18,SDM2001-31 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 81 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |