| 講演名 | 2001/5/17 MOVPE成長CdTe層へのヒ素ドーピング特性 増田 祐輔, 富田 泰光, 石黒 智章, 川内 康弘, 保木 一樹, 森下 浩志, 安田 和人, |
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| 抄録(和) | ターシャリブチルヒ素(TBAs)をp型ドーパントとしたMOVPE成長CdTe層へのドーピング特性について検討を行った成長基板には(100)GaAs基板を用い, Cd原料はジメチルカドウム(DMCd), Te原料はジエチルテルル(DETe)及びジイソプロピルテルル(DiPTe)を用いた. 成長条件及びドーピング条件を最適化することで, ドープ層正孔密度は10^<14>から10^<17>cm^<-3>まで広範側に制御できることがわかった. また, 成長原料がドーピング特性に及ぼす影響やドーピングが成長特性に及ぼす影響等についても検討を行った. |
| 抄録(英) | Characteristics of arsenic doping in CdTe layers on (100)GaAs have been studied in MOVPE using tertialybutylarsine(TBAs) as a p-type dopant. Dimethylcadmium(DMCd), diethyltelluride (DETe) and diisopropyltelluride(DiPTe) were used as precursors. Hole densities of doped layers were controlled from 10^<14> to 10^<17>cm^<-3>. Effect of doping on the growth characterisics was also studied. |
| キーワード(和) | MOVPE / ドーピング特性 / DMCd / DETe / DiPTe / TBAs |
| キーワード(英) | MOVPE / doping characteristics / DMCd / DETe / DiPTe / TBAs |
| 資料番号 | ED2001-16,CPM2001-3,SDM2001-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2001/5/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE成長CdTe層へのヒ素ドーピング特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Arsenic doping in CdTe layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | ドーピング特性 / doping characteristics |
| キーワード(3)（和/英） | DMCd / DMCd |
| キーワード(4)（和/英） | DETe / DETe |
| キーワード(5)（和/英） | DiPTe / DiPTe |
| キーワード(6)（和/英） | TBAs / TBAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 増田 祐輔 / Yusuke Masuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 富田 泰光 / Yasumitsu Tomita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石黒 智章 / Tomoaki Ishiguro |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川内 康弘 / Yasuhiro Kawauchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 保木 一樹 / Kazuki Hoki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 森下 浩志 / Hiroshi Morishita |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 安田 和人 / Kazuhito Yasuda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/5/17 |
| 資料番号 | ED2001-16,CPM2001-3,SDM2001-16 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |