講演名 | 2001/5/17 MOVPE成長CdTe層へのヒ素ドーピング特性 増田 祐輔, 富田 泰光, 石黒 智章, 川内 康弘, 保木 一樹, 森下 浩志, 安田 和人, |
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抄録(和) | ターシャリブチルヒ素(TBAs)をp型ドーパントとしたMOVPE成長CdTe層へのドーピング特性について検討を行った成長基板には(100)GaAs基板を用い, Cd原料はジメチルカドウム(DMCd), Te原料はジエチルテルル(DETe)及びジイソプロピルテルル(DiPTe)を用いた. 成長条件及びドーピング条件を最適化することで, ドープ層正孔密度は10^<14>から10^<17>cm^<-3>まで広範側に制御できることがわかった. また, 成長原料がドーピング特性に及ぼす影響やドーピングが成長特性に及ぼす影響等についても検討を行った. |
抄録(英) | Characteristics of arsenic doping in CdTe layers on (100)GaAs have been studied in MOVPE using tertialybutylarsine(TBAs) as a p-type dopant. Dimethylcadmium(DMCd), diethyltelluride (DETe) and diisopropyltelluride(DiPTe) were used as precursors. Hole densities of doped layers were controlled from 10^<14> to 10^<17>cm^<-3>. Effect of doping on the growth characterisics was also studied. |
キーワード(和) | MOVPE / ドーピング特性 / DMCd / DETe / DiPTe / TBAs |
キーワード(英) | MOVPE / doping characteristics / DMCd / DETe / DiPTe / TBAs |
資料番号 | ED2001-16,CPM2001-3,SDM2001-16 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2001/5/17(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | MOVPE成長CdTe層へのヒ素ドーピング特性 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Arsenic doping in CdTe layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | MOVPE / MOVPE |
キーワード(2)(和/英) | ドーピング特性 / doping characteristics |
キーワード(3)(和/英) | DMCd / DMCd |
キーワード(4)(和/英) | DETe / DETe |
キーワード(5)(和/英) | DiPTe / DiPTe |
キーワード(6)(和/英) | TBAs / TBAs |
第 1 著者 氏名(和/英) | 増田 祐輔 / Yusuke Masuda |
第 1 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 富田 泰光 / Yasumitsu Tomita |
第 2 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 石黒 智章 / Tomoaki Ishiguro |
第 3 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 川内 康弘 / Yasuhiro Kawauchi |
第 4 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
第 5 著者 氏名(和/英) | 保木 一樹 / Kazuki Hoki |
第 5 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
第 6 著者 氏名(和/英) | 森下 浩志 / Hiroshi Morishita |
第 6 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
第 7 著者 氏名(和/英) | 安田 和人 / Kazuhito Yasuda |
第 7 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
発表年月日 | 2001/5/17 |
資料番号 | ED2001-16,CPM2001-3,SDM2001-16 |
巻番号(vol) | vol.101 |
号番号(no) | 80 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |