講演名 2001/3/16
解析用サンプル加工技術
中村 信二, 中島 蕃,
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抄録(和) 本論文は故障箇所の特定と観察を容易化するための各種解析用サンプル加工技術と配線のリペア加工技術について述べている。表面から発光が検出困難なデバイスに対しては上層電源配線の部分剥離、発光反射用傾斜溝加工、裏面発光解析用開口・研磨処理が、多層配線のデバイスのEBテスティングでは層間絶縁膜のRIEによる異方性エッチングが各々有効であること、指定箇所の断面TEMの試料を高精度、短TATで作製できるFIBによる試料作製法、ラッピングおよび選択ウェットエッチング処理による平面/断面SEM試料作製法が微細化・多層配線LSIや高密度フリップチップ実装品の構造解析に大きな効果がある。
抄録(英) This paper describes a samplep reparation technique to improve the obserbabirity of failure site of device and wire repair technique for LSI design verification. A partial remove of wide upper metal wire, fabrication of inclined grooves that is reflection mirror of light emission, and bacd side preparation for the back-side light emission microscopy are useful techniques for little light emission is detected from front side of device. Anisotropic etching by RIE is also useful for EB probing or multilay er wiring. A cross-sectional TEM preparation using FIB, SEM observation preparation using lapping and selective wet-etching fabrication are very effective technique for micro-structure analysis of minimized and multilayeered LSI and flip-chip packaged device.
キーワード(和) LSI故障解析 / 裏面発光解析 / RIE / 断面TEM解析 / EBテスタ / FIB
キーワード(英) LSI Failure analysis / Back side light emissin microscopy / Reactive ion etching / X-TEM / FIB / EB testing
資料番号 R2000-48,CPM2000-171
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2001/3/16(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 解析用サンプル加工技術
サブタイトル(和)
タイトル(英) Sample Preparation Technique for Failure Analysis.
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) LSI故障解析 / LSI Failure analysis
キーワード(2)(和/英) 裏面発光解析 / Back side light emissin microscopy
キーワード(3)(和/英) RIE / Reactive ion etching
キーワード(4)(和/英) 断面TEM解析 / X-TEM
キーワード(5)(和/英) EBテスタ / FIB
キーワード(6)(和/英) FIB / EB testing
第 1 著者 氏名(和/英) 中村 信二 / Shinji Nakamura
第 1 著者 所属(和/英) NTT エレクトロニクス株式会社
NTT Electronics Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 中島 蕃 / Shigeru Nakajima
第 2 著者 所属(和/英) NTT エレクトロニクス株式会社
NTT Electronics Corporation
発表年月日 2001/3/16
資料番号 R2000-48,CPM2000-171
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 707
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日