| 講演名 | 2000/10/12 チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性 塩島 謙次, 末光 哲也, 重川 直輝, |
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| 抄録(和) | ゲート長の短縮に伴うピンチオフ特性の劣化、及び耐圧の低下を抑制する目的で、チャネル直下に埋め込みp層を有した構造をAlGaN/GaN HEMTに適応することを検討している。今回、初期的な実験結果が得られたので報告する。ゲート長2μmのHEMTを作製し良好なピンチオフ、飽和特性を確認した。最大ドレイン電流=210mA/mm, 最大gm=55mS/mm、オン耐圧=70-90V、f_T=5.5GHzが得られた。また、シュミレーション、及びC-V測定により、p層によるキャリアの閉じこめ効果を確認した。 |
| 抄録(英) | We have demonstrated AlGaN/GaN HEMTs with lightly-doped buried p-layers under the channel for the first time. A 2-μm-gate device showed good pinch-off characteristics, g_m of 55 mS/mm, and breakdown voltage of 70～90 V. Carrier confinement by the p-n junction was confirmed by capacitance-voltage measurements. The maximum f_T of 5.5 GHz was obtained. These results indicate the potential of p-layer insertion into GaN-based FETs. |
| キーワード(和) | GaN / HEMT / 埋め込みp層 / キャリア閉じ込め効果 |
| キーワード(英) | GaN / HEMT / buried p-layer / carrier confinement |
| 資料番号 | ED2000-167,CPM2000-106 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/10/12(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of AlGaN/GaN HEMTs with buried p-layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 埋め込みp層 / buried p-layer |
| キーワード(4)（和/英） | キャリア閉じ込め効果 / carrier confinement |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 末光 哲也 / Tetsuya Suemitsu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 重川 直輝 / Naoteru Shigekawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT先端技術総合研究所 NTT Science & Core Technology Laboratories |
| 発表年月日 | 2000/10/12 |
| 資料番号 | ED2000-167,CPM2000-106 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 371 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |