| 講演名 | 2000/10/12 微小ショットキー接触によるGaN結晶の評価 : 転位とI-V特性との相関 塩島 謙次, 末光 哲也, 小椋 充将, |
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| 抄録(和) | AFMによる表面観察と、電子ビーム描画を用いた微小電極形成技術を組み合わせることにより、転位の存在と電極特性との相関を直接的に評価した。厚さ2μmのn-GaNに直径0.35μm径のAu/Niショットキー電極を蒸着した。導電性プローブを用いたAFMでドットの位置確認、およびI-V測定を行った。順方向特性に直線性がみられ、良好なI-V特性が得られた。酸により電極を溶解した後、再びAFM測定を行い、各電極の痕跡から電極内の転位の有無を判断し、I-V特性と一対の対応づけを行った。転位の存在は微小電極のI-V特性に影響を及ぼさないことが分かった。 |
| 抄録(英) | We directly evaluated the effect of dislocations on I-V characteristics of Au/Ni/n-GaN Schottky contacts. A sub-micrometer Schottky dot array was formed by electron beam lithography and I-V measurements were conducted using AFM with a conductive probe. Neither dislocations nor steps affect the I-V characteristics. These results indicate that, in fabricating short-gate FETs, gate Schottky contacts containing dislocations should not be considered a problem with respect to uniformity and reproducibility. |
| キーワード(和) | GaN / 転位 / ショットキー接触 / I-V特性 / AFM / 微小電極 |
| キーワード(英) | GaN / dislocation / Schottky contact / I-V characteristics / AFM / sub-micrometer dot |
| 資料番号 | ED2000-165,CPM2000-104 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/10/12(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 微小ショットキー接触によるGaN結晶の評価 : 転位とI-V特性との相関 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of GaN crystal quality by using sub-micrometer Schottky contacts : correlation between I-V characteristics and dislocations |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 転位 / dislocation |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contact |
| キーワード(4)（和/英） | I-V特性 / I-V characteristics |
| キーワード(5)（和/英） | AFM / AFM |
| キーワード(6)（和/英） | 微小電極 / sub-micrometer dot |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 末光 哲也 / Tetsuya Suemitsu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小椋 充将 / Mitsumasa Ogura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京大工学研究科材料工学専攻 Kyoto University |
| 発表年月日 | 2000/10/12 |
| 資料番号 | ED2000-165,CPM2000-104 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 371 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |